Properties of a-Se for use in flat panel X-ray image detectors

Kasap, S. O.; Haugen, C.J.; Nesdoly, Mark Timothy Alexander; Rowlands, J. A.

doi:10.1016/s0022-3093(99)00954-0

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“…With the latter data included, W 0 AE ¼ 6-8 eV, and relatively independent of the X-ray photon energy. Our previous measurements [9] indicated that W 0 AE % 6 eV for mean photon energies in the range 32.8-58.2 keV. Using the Klein rule, with E g = 2.22 eV and e ph % 0.5 eV, we find 6.7 eV whereas the Que and Rowlands rule gives W 0 AE ¼ 5:4 eV.…”

Section: Analysis Of Electron-hole Pair Creation Energymentioning

confidence: 57%

“…The EHP creation energy W ± for a-Se has been measured and reported previously by Kasap et al [9] and recently by Blevis et al [10]. We have extracted the data from the latter reference for a critical examination of W ± in Section 4.…”

Section: Methodsmentioning

confidence: 87%

“…(They did not however examine the temperature dependence of W ± .) Although it has been suggested that W ± may be controlled by columnar recombination [9] (recombination of electrons and holes within the track of a primary electron knocked out by an X-ray photon) there is still an on-going controversy whether Onsager or columnar recombination controls W ± and what is the saturated value of W ± corresponding to very high fields (F ! 1).…”

Section: Analysis Of Electron-hole Pair Creation Energymentioning

confidence: 99%

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Amorphous selenium as an X-ray photoconductor

Belev

Kasap

2004

Journal of Non-Crystalline Solids

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Section: Analysis Of Electron-hole Pair Creation Energymentioning

confidence: 57%

Section: Methodsmentioning

confidence: 87%

Section: Analysis Of Electron-hole Pair Creation Energymentioning

confidence: 99%

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Amorphous selenium as an X-ray photoconductor

Belev

Kasap

2004

Journal of Non-Crystalline Solids

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“…The EHP creation energy W ± in a-Se has a strong dependence on F and weak dependence on E [10][11][12]. W ± decreases strongly with increasing field.…”

Section: Stabilized Amorphous Selenium (A-se)mentioning

confidence: 95%

Recent advances in X-ray photoconductors for direct conversion X-ray image detectors

Kasap

Kabir

Rowlands

2006

Current Applied Physics

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“…Estes filmes finos, crescidos por uma variedade de métodos de deposição, tais como os processos de deposição química a partir da fase de vapor (CVD), deposição física a partir da fase de vapor (PVD) e deposição a partir de líquidos, fornecem uma solução viável para a expansão de materiais semicondutores sob grandes áreas. Atualmente, um dos sistemas mais avançados utiliza selênio amorfo (a-Se), operando em modo direto [19,20]. fase destrutiva entre essa temperatura e a temperatura ambiente.…”

Section: Figura 24: Esquema Do Dispositivo Detector De Raios X [3]unclassified

Fabricação e caracterização de filmes finos de brometo de tálio (TIBr)

Destefano¹

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AgradecimentosPrimeiramente a Deus, pelas bênçãos em minha vida.À minha família, em especial aos meus pais e à minha irmã Paty, pelo amor, carinho e incentivo incondicionais. Vocês são a base da minha vida.À minha segunda família, Aninha, Line, Pá e Lucy, por todas as nossas terapias em grupo e infinitas risadas que tornam nossa convivência maravilhosa. ResumoPor ser um semicondutor de elevado número atômico, elevada densidade de massa e largo gap de energia, o brometo de tálio (TlBr) é um material promissor para a detecção da radiação ionizante à temperatura ambiente. Entretanto, existem poucos trabalhos relacionados ao estudo deste material sob forma de filme fino policristalino para produção em grandes áreas (∼ 40 x 40 cm 2 ) como desejado para aplicações médicas. Neste trabalho, as técnicas de spray pyrolysis e evaporação térmica foram avaliadas como métodos alternativos para a deposição de filmes de TlBr policristalinos. Ambas as técnicas apresentam relativo baixo custo e podem ser expandidas para grandes áreas. O objetivo deste trabalho é o estudo da influência das principais condições de crescimento dos filmes de TlBr nas suas propriedades estruturais, ópticas e elétricas finais.Para os filmes produzidos por spray pyrolysis água mili-Q foi utilizada como solvente. A solução (0,10 g de TlBr dissolvidos em 100 g de água) foi agitada à temperatura de 70°C. Cada deposição foi realizada mantendo os substratos (1cm 2 ) à temperatura de 100ºC, com um fluxo de nitrogênio (N 2 ) de 8 l/min e um fluxo de solução de aproximadamente 1/90 (ml/s). A distância bico de spray-substrato utilizada foi de 19 cm.Os filmes de TlBr evaporados foram crescidos pela evaporação térmica resistiva do material a partir de um cadinho de tungstênio. A temperatura do substrato foi avaliada desde a temperatura ambiente até 200°C. A separação substrato-superfície de evaporação, h, e o número de deposições por filme, n, também foram variados no intervalo de 3 a 9 cm e 1 a 4, respectivamente.A estrutura dos filmes foi investigada por Difração de Raios X (DRX), a morfologia por Microscopia Eletrônica de Varredura (MEV) e a composição através da Espectroscopia de Dispersão de Energia (EDS). Experimentos ópticos de transmitância em função do comprimento de onda foram realizados para estimar o gap óptico dos filmes. As resistividades foram medidas a partir de experimentos de corrente elétrica em função da diferença de potencial aplicada. A corrente de escuro foi comparada à corrente sob iluminação com uma lâmpada fluorescente (20 watts). Por fim, algumas amostras selecionadas foram expostas aos raios X na faixa de diagnóstico mamográfico.As melhores propriedades foram obtidas para os filmes crescidos por evaporação térmica resistiva. Essa técnica permitiu a obtenção de filmes com espessura de até aproximadamente 28 µm a partir de uma única deposição de 12 minutos. Entretanto, como a pressão de vapor do bromo é significativamente menor que a do tálio, observou-se uma perda de 10% de bromo na composição dos filmes evaporados. O menor número de tr...

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Properties of a-Se for use in flat panel X-ray image detectors

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Amorphous selenium as an X-ray photoconductor

Amorphous selenium as an X-ray photoconductor

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