1973
DOI: 10.1002/bbpc.19730770913
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Punktfehlstellen in Oxidmischphasen II. Beweglichkeit der Defektelektronen in (CoxMg1‐x) O und (CoxMg1‐x)2 SiO4

Abstract: Beweglichkeiten von Defektelektronen in den Mischkristallen (CoxMg1‐x)O und (CoxMg1‐x)2 SiO4 als Funktion von Temperatur und Zusammensetzung x wurden aus elektrischen Leitfähigkeitsmessungen unter Benutzung der im Teil I dieser Arbeit gemessenen Defektelektronenkonzentrationen ermittelt. Mit zunehmendem Magnesiumgehalt nimmt die Defektelektronenbeweglichkeit über Größenordnungen ab. Eindeutig kann festgestellt werden, daß in den Mischkristallen ein aktivierter Sprungprozeß der Defektelektronenbeweglichkeit vor… Show more

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