“…Наличие экситонных, биэкситонных, триэкситонных и мультиэкситонных состояний [1,2] и возможность селективного управления их свойствами под действием когерентного лазерного излучения во многом определяют оптические характеристики полупроводниковых структур и, следовательно, стимулируют развитие передовых исследований во многих областях: квантовой обработки информации, создании энергоэффективных электронных устройств, конфокальной микроскопии [3], поляритонной генерации, бозе-эйнштейновской конденсации экситон поляритонов [4], поляритонной сверхтекучести. Обнаружение экситонов с большими квантовыми числами [5], являющиеся аналогами ридберговских атомов позволяют изучать новые эффекты, которые не наблюдаются в физике атомов, так как энергии связи ридберговских состояний экситона малы и экситоны более чувствительны к воздействию внешних электрических и магнитных полей, поэтому при изменении интенсивности внешнего поля можно наблюдать многообразие сдвигов и пересечений уровней поглощения.…”