2008
DOI: 10.1016/j.nimb.2008.03.195
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Radiation damage mechanisms in CsI(Tl) studied by ion beam induced luminescence

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“…Finalmente, tempos de irradiação prolongados podem indicar a estabilidade da potência do feixe de raios X. O tempo de irradiação pode indicar efeitos de aquecimento da amostra, já que várias etapas do processo de cintilação são influenciadas pela temperatura 10,26 e ainda pode definir parâmetros de variação da emissão do material com a energia depositada (radiation damage). …”
Section: Resultsunclassified
“…Finalmente, tempos de irradiação prolongados podem indicar a estabilidade da potência do feixe de raios X. O tempo de irradiação pode indicar efeitos de aquecimento da amostra, já que várias etapas do processo de cintilação são influenciadas pela temperatura 10,26 e ainda pode definir parâmetros de variação da emissão do material com a energia depositada (radiation damage). …”
Section: Resultsunclassified
“…On the other hand, the behavior of the new band at 600 nm is characteristic of luminescent centers produced under irradiation [11][12][13]. At present the origin of this feature is not understood, but it can be likely related to a center formed from the combination of Si-O and hydrogen based compounds.…”
Section: Discussionmentioning
confidence: 99%
“…With this technique we can get valuable information such as local chemical environment of the materials, trace substituent's in ppm level, identifications chemical states ( þ2 or þ3) in synthetic and geological minerals, radiation-matter-interaction etc. [1][2][3]. The photoluminescence (PL) spectroscopy is a contact less, nondestructive method of probing the electronic structure of materials.…”
Section: Introductionmentioning
confidence: 99%