Raman investigation of low temperature AlGaAs/GaAs(100) heterostructures

Влияние разориентации подложки на состав, структурные и фотолюминесцентные свойства эпитаксиальных слоев, выращенных на GaAs(100)

“…Такие иссле-дования были проведены нами с использованием карт обратного q-пространства образцов, поскольку имен-но они позволяют получать прямую информацию о рассогласовании параметров кристаллических решеток эпитаксиальной пленки и подложки, разориентации или релаксации слоя, плотности дислокаций в нем, его мозаичности или кривизне [19,20].…”

“…Для получения дополнительной информации о влия-нии разориентации подложки на структурные свойства полученных эпитаксиальных пленок был использован метод рамановской спектроскопии [20]. Этот метод позволяет исследовать кристаллическую структуру и ее качество.…”

Эпитаксиальные твердые растворы Al-=SUB=-x-=/SUB=-Ga-=SUB=-1-x-=/SUB=-As : Mg с различным типом проводимости

“…Ввиду того что исследуемые образцы гетероструктур были выращены в области составов, изопериодических подложке GaAs (100), будем использовать линейные ин-терполяции для закона Вегарда, коэффициентов Пуассо-на и зависимости ширины запрещенной зоны от состава аналогичные тем, что использовались в наших предыду-щих работах [9,10,32,33].…”

“…Тем не менее ежегодно наращиваемое исполь-зование GaAs-наногетероструктур в устройствах опто-электроники заставляет исследователей искать решение старых проблем и по-новому взглянуть на классические материалы [6][7][8][9][10][11].…”

“…Основными легирующими примесями в A III B V являются углерод и кремний. Однако, несмотря на их частое использование и высокую степень изученности их по-ведения в качестве примесей, перед исследователями все еще стоит целый ряд неразрешенных проблем, свя-занных с их потенциальным применением [10,18]. Эти факторы являются предпосылкой к поиску новых леги-рующих элементов, а также механизмов легирования.…”