Отримано 06 травня 2015 р.; в остаточному виглядi 03 липня 2015 р.)Використано модифiковану чотирипiдґраткову модель RbHSO4 врахуванням п'єзоелектричного зв'язку з деформацiями εi, εj. У наближеннi молекулярного поля розраховано компоненти вектора поляризацiї та тензора статичної дiелектричної проникностi механiчно затиснутого й вiльного кристалiв, їх п'єзоелектричнi характеристики. Дослiджено вплив гiдростатичного тиску та зсувної напруги на фазовий перехiд i фiзичнi характеристики кристала. Отримано добрий кiлькiсний опис вiдповiдних експериментальних даних для цих кристалiв.Ключовi слова: сеґнетоелектрики, температура переходу, дiелектрична проникнiсть, п'єзомодулi, гiдростатичний тиск, напруга зсуву.