Research of silicon surface etched in potassium hydroxide solution

Abstract

Проведена экспериментальная оценка влияния глубины анизотропного травления кремния на шероховатость травленой поверхности в растворе гидроксида калия. Проводилось травление пластин кремния на различную глубину (30 и 180 мкм) с последующим измерением параметров шероховатости на оптическом профилографе-профилометре PF-60. Показано, что при этом способе травления меняются такие параметры шероховатости поверхности, как R a , R z , R max. Для улучшения качества поверхности (снижения вышеуказанных параметров) применялось химическое полирование в изотропном травителе. Проведенные исследования имеют практическое значение для изготовления кремниевых структур микромеханических систем.