Resistive switching and ferroelectric properties in BiFeO3 superlattice films

Research Progress on Ferroelectric Superlattices

“…PbTiO3/SrTiO3 超晶格中发现了受界面屏蔽效应调控 的负电卡效应 [39] ；在 LaAlO3/Ba0.8Sr0.2TiO3 和 PbTiO3/SrTiO3 超晶格中发现了起因于应变和畴壁移 动 的 负 电 容 [22][23] ；在 BaTiO3/BaZrO3 和 PbTiO3/SrTiO3 等超晶格中发现了受周期厚度调制的 储能性能 [35][36][37] ；在多种元素共同掺杂的 BiFeO3 基 超晶格中观察到了受应变效应调控的阻变性能 [74] ； 在 SrTiO3 基超晶格中发现了受周期厚度调制的八重 磁各向异性 [75] 、增强的磁电性质 [76] 、磁性有序化 和结构相变 [77] 、热电性质 [78] 以及自旋极化二维电 子气 [19] 等。 综上所述，一方面，铁电超晶格在铁电、介电、 压电、多铁以及光电、电卡、储能、阻变等很多方 面都表现出了优异的功能特性，具有广阔的应用前 景。另一方面，铁电超晶格提供了一个研究复杂氧 化物材料界面之间自旋、电荷、轨道和晶格自由度 耦合作用的平台，通过调控这些物理量可以发现新 的功能特性，铁电超晶格的研究具有非常重要的科 学意义。…”

Coexistence of memristive and memcapacitive effects in oxide thin films

“…The operation principle of a memristor described by the above equations is clear and simple. However, in a real memristive device, the origin for resistance change is complicated, for example, possible mechanisms include migration of anions [3][4][5][6][7] or cations, 8,9) charge trapping and detrapping, [10][11][12][13][14][15] polarization switching in ferroelectrics-composed memristors, [16][17][18][19][20][21][22][23] etc.…”