Role of highly doped Si substrate in bipolar resistive switching of silicon nitride MIS-capacitors

Scaling Effect on Silicon Nitride Memristor with Highly Doped Si Substrate

“…However, Ni top electrodes (TEs) are difficult to etch using conventional dry‐etching processes because of the nonvolatility of the by‐products . In addition, to date, the scaling effect on the memristor characteristics in various resistive switching materials are reported less frequently, and memristor switching in silicon nitride‐ and silicon oxide‐based metal–insulator–semiconductor (MIS) systems have been reported for only large sizes (≈1 µm) . In this study, Ti/SiN x /p + ‐Si devices with sizes ranging from 10 µm to 60 nm on the same wafer were fabricated to investigate the scaling effect on the memristor switching characteristics.…”

Электрофизические Характеристики Многослойных Мемристивных Наноструктур На Основе Стабилизированного Иттрием Диоксида Циркония И Оксида Тантала

“…Эти отношения значительно различались при каждом новом переключении. То же самое можно сказать о достигаемых значениях величины R p0 , которая определяет шунтирующее сопротивление структуры [19][20][21]. После стабилизации переключения эти отношения значительно уменьшались и также стабилизировались (строки 3, 4 в таблице).…”

“…Следует подчеркнуть независимость величины R s ∞ от состояния мемристора после стабилизации переключения, которое при больших частотах определяется сопротивлением верхнего электрода и свидетельствует об отсутствии ярко выраженных электрохимических процессов на этом электроде. Время считывания параметров эквивалентной схемы мемристора τ = R s ∞ • C 0 [20,21] и сопротивление R s ∞ удавалось определить только для структур с относительно большой площадью. Значения τ , как видно из таблицы, не сильно отличались для разных состояний таких структур.…”

Механизмы Токопереноса И Резистивного Переключения В Конденсаторах Со Слоями Стабилизированного Иттрием Диоксида Гафния

“…В первом случае измерялась динамическая ВАХ (ДВАХ) с постоянной скоростью развертки β ≈ 0.3 V/s при разных температурах. Температура поддерживалась с точностью до 1 K. Во втором случае для измерения токов деполяризации (ТДП) образец сначала нагревался в термостате до температуры 500−600 K под действием поляризующего на- [12,13] для мемристоров на основе оксида или нитрида кремния. В этих работах было дано детальное объяснение этих характеристик.…”