Semi-Transparent ZnO-CuI/CuSCN Photodiode Detector with Narrow-Band UV Photoresponse

Abstract

PSS transparent electrode compared with ITO glass. The low-energy consumption, and high responsivity, UV to visible rejection ratio and air stability make this ZnO-CuI/CuSCN photodiode quite promising in the UV-A detection field.

Гетероструктура Для Обращенного Диода На Основе Электроосажденного В Импульсном Режиме Наномассива Оксида Цинка И Изготовленной Методом SILAR Пленки Иодида Меди

“…Во всех этих рабо-тах гетероструктуру p-CuI/n-ZnO рассматривают как основу прозрачных и полупрозрачных ультрафиолето-вых датчиков диодного типа [14,15] или биполярных пленочных диодов [16][17][18][19]. Нам не удалось отыскать в литературе данных о создании обращенного диода с такой гетероструктурой.…”

“…Нам не удалось отыскать в литературе данных о создании обращенного диода с такой гетероструктурой. Особый интерес вызывает использование в p-CuI/n-ZnO одномерных нанострукту-рированных массивов оксида цинка [14,[19][20][21][22], среди методов изготовления все больше внимания уделяет-ся пригодным для широкомасштабного производства, дешевым и доступным жидкофазным методам, в том числе электроосаждению, жидкофазному химическому осаждению и его модификации -методу последова-тельной адсорбции и реакции ионных слоев (Successive Ionic Layer Adsorption and Reaction, SILAR) [23][24][25][26][27]. В работе [27] по результатам исследования кристалли-ческой структуры, электрических и оптических свойств электроосажденных в импульсном режиме наномассивов оксида цинка и изготовленных методом SILAR пленок иодида меди нами была сформирована барьерная гетеро-структура n-ZnO/p-CuI, анализ электронных параметров которой продемонстрировал [27] ее перспективность для использования в качестве базовой приборной ди-одной структуры полупрозрачного детектора ближнего ультрафиолетового (УФ) излучения.…”

Барьерная гетероструктура n-ZnO/p-CuI на основе электроосажденных в импульсном режиме наномассивов оксида цинка и изготовленных методом SILAR пленок иодида меди

“…Создание и исследование изделий прозрачной и по-лупрозрачной микро-и наноэлектроники является про-грессивно развивающимся направлением современной науки и техники [1][2][3][4][5][6][7][8][9][10][11][12][13][14][15][16][17][18][19][20]. Оно сосредоточено на про-изводстве " невидимых" электронных схем и оптико-электронных приборов, новых источников энергии, дат-чиков и пр.…”

“…Исторически сложилось, что это направле-ние первоначально в основном охватывало прозрачные электропроводные оксиды, в том числе легированные пленки оксида цинка (ZnO) из-за их широкого ис-пользования в качестве антистатических прозрачных проводящих покрытий для сенсорных панелей дисплеев, солнечных батарей, жидкокристаллических мониторов, нагревателей, антиобледенителей и " умных окон". Од-нако в течение последних 10 лет огромные усилия прикладываются к разработке новых активных мате-риалов функциональной прозрачной и полупрозрачной микро-и наноэлектроники с целью создания электрон-ных схем [9][10][11]13,14,[18][19][20], ультрафиолетовых (УФ) датчиков [5,6], пьезотронных приборов [7,8], солнечных батарей [12,16], светодиодов [15] и целого ряда новых электрооптических устройств. Среди этих материалов особое место наряду с n-ZnO принадлежит широкозон-ным полупроводникам p-типа, в частности материалам из семейства A I B VII , к которым относится иодид меди (CuI) [4,[6][7][8][9][10][11][12][13][14][15][16][17][18][19].…”

“…Авторы [19] на базе исследований электронной структуры трех основных известных фаз CuI, а именно цинковой обманки γ-CuI (F43m), вюрцита β-CuI (P63mc) и каменной соли α-CuI (Fm-3m), рассмотрели возможность построения про-зрачных биполярных гетеропереходов из двух полупро-водниковых материалов p-CuI/n-CdO. Однако наиболее перспективной считается гетероструктура p-CuI/n-ZnO, которая может быть основой прозрачных и полупро-зрачных УФ-датчиков диодного типа [5,6] и биполярных пленочных диодов [9,10,13,14,20].…”