Simulation of influence of template size on misfit dislocation in nanostructures

Timofeyev, V. I.; Faleyeva, Elena; Semenovskaya, Elena; Andryushchenko, Andrew; Osinsky, V. I.; Lyahova, N. N.; Sukhoviy, Nina

doi:10.1109/elnano.2014.6873943

Search citation statements

Order By: Relevance

Paper Sections

Select...

рис 2 схематичне зображення утворення дисло-1

Citation Types

Supporting

Mentioning

Contrasting

Unclassified

Year Published

2014

Publication Types

Select...

Article1

Relationship

Self Cite0

Independent1

Authors

Journals

Cited by 1 publication

(1 citation statement)

References 12 publications

Supporting

Mentioning

Contrasting

Unclassified

Order By: Relevance

“…Дана стаття є продовженням робіт [6,7]. У роботі [6] проаналізовано вираз для енергії дислокації тривимірного наноутворення:…”

Section: рис 2 схематичне зображення утворення дисло-unclassified

Modeling of templet nanostructures

Semenovskaya¹,

Lyahova²,

Osinskii³

et al. 2014

Electronics and Communications

View full text Add to dashboard Cite

Modeling of templet nanostructures The purpose of paper is to find the optimal parameters for decreasing dislocations in templet nanostructures. The estimation method of dislocation-free relief germination of templet nanostructures is developed. The influence of templet size on the dislocation density of nanostructures is studed. The dependence of the dislocation height on its radius is determined. The influence of the nanostructures lattice mismatch on conditional relief dislocation of templet semiconductor nanostructures is studed. Reference 9, figures 4.

show abstract

Section: рис 2 схематичне зображення утворення дисло-unclassified