2012
DOI: 10.1149/04901.0297ecst
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Simulation of PECVD SiO2 Deposition Using a Cellular Automata Approach

Abstract: A cellular model to simulate PECVD SiO 2 deposition is described. The automaton is based on a cellular approach described by Strasser and Selberherr. The automaton parameters effects on the resulting films are analyzed. The results generated by the simulator are also compared to experimental results of the fabrication of a pedestal ARROW.

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“…Embora não descrito no presente trabalho, variações sobre outros autômatos celulares também foram desenvolvidas e testadas. Uma dessas variações envolve a simulação do efeito de obstruções sobre um processo de deposição (COLOMBO; CARREÑO, 2012). O algoritmo descrito por Strasser e Selberherr (1995) foi modificado de forma a modificar a taxa de deposição do filme em função de obstruções, como a presença de uma parede próxima à superfície, bem como variações para simular deposições não conformes de filmes de óxido de Si.…”
Section: Contribuições E Publicaçõesunclassified
“…Embora não descrito no presente trabalho, variações sobre outros autômatos celulares também foram desenvolvidas e testadas. Uma dessas variações envolve a simulação do efeito de obstruções sobre um processo de deposição (COLOMBO; CARREÑO, 2012). O algoritmo descrito por Strasser e Selberherr (1995) foi modificado de forma a modificar a taxa de deposição do filme em função de obstruções, como a presença de uma parede próxima à superfície, bem como variações para simular deposições não conformes de filmes de óxido de Si.…”
Section: Contribuições E Publicaçõesunclassified