2010
DOI: 10.1016/j.physe.2010.02.007
|View full text |Cite
|
Sign up to set email alerts
|

Simultaneous effects of electric and magnetic fields in a GaAs/AlAs spherical quantum dot with a hydrogenic impurity

Help me understand this report

Search citation statements

Order By: Relevance

Paper Sections

Select...
4
1

Citation Types

0
5
0
1

Year Published

2012
2012
2024
2024

Publication Types

Select...
8
1

Relationship

0
9

Authors

Journals

citations
Cited by 18 publications
(6 citation statements)
references
References 32 publications
0
5
0
1
Order By: Relevance
“…Ayrıca basıncın arttırılmasıyla taban durum yabancı atom enerjisinin pozitif değerlerden negatif değerlere geçtiği nokta olan dönüm noktalarının (DN) daha küçük kuyu genişliklerinde olduğu göz-lenmektedir. (b) de E b taban durum bağlanma enerjisi kuyu genişliği arttıkça azalmakta, hidrostatik basınç arttıkça artmaktadır [14][15] [16] Şekil2'de hidrostatik basıncın farklı sabit değerleri için simetrik ve antisimetrik kuantum kuyusunda taban durum yabancı atom enerjisinin dönüm noktalarının yabancı atomun konumunun bir fonksiyonuna bağlı olarak değişim grafiği gösterilmektedir. Burada dönüm noktası taban durum yabancı atom enerjisinin pozitif değerlerden negatif değer-lere geçtiği kuantum kuyu genişliğidir.…”
Section: Teori̇unclassified
“…Ayrıca basıncın arttırılmasıyla taban durum yabancı atom enerjisinin pozitif değerlerden negatif değerlere geçtiği nokta olan dönüm noktalarının (DN) daha küçük kuyu genişliklerinde olduğu göz-lenmektedir. (b) de E b taban durum bağlanma enerjisi kuyu genişliği arttıkça azalmakta, hidrostatik basınç arttıkça artmaktadır [14][15] [16] Şekil2'de hidrostatik basıncın farklı sabit değerleri için simetrik ve antisimetrik kuantum kuyusunda taban durum yabancı atom enerjisinin dönüm noktalarının yabancı atomun konumunun bir fonksiyonuna bağlı olarak değişim grafiği gösterilmektedir. Burada dönüm noktası taban durum yabancı atom enerjisinin pozitif değerlerden negatif değer-lere geçtiği kuantum kuyu genişliğidir.…”
Section: Teori̇unclassified
“…Additionally, a doped hydrogenic impurity in a quantum dot influences both the electronic mobility and its optical properties because of the Coulomb interaction between the electron and the impurity ion [7][8][9][10]. The three-dimensional confinement, depending on the size of the dot, causes the electron to move near the impurity ion which is the enhancing effect on the binding energy due to the increasing interaction strength.…”
Section: Introductionmentioning
confidence: 99%
“…They found that the impurity binding energy depends strongly on impurity position and magnetic field strength. Dane et al and Rezaei et al studied the effect of simultaneous electric and magnetic fields on the binding energy of hydrogenic impurity in spherical and two dimensional parabolic SQDs, respectively [23,24].…”
Section: Introductionmentioning
confidence: 99%