“…Известны работы, в которых показано, что управление люминесцентными свойствами КТ достигается как за счет квантово-размерного эффекта, так и за счет структурно-примесных дефектов в объеме и на интерфейсах КТ [16][17][18][19][20][21][22][23][24][25]. Существенный интерес в данном направлении представляют полупроводниковые коллоидные КТ PbS, так как они обладают люминесцентными свойствами в видимом и ближнем ИК диапазонах [12][13][14][15][16][26][27][28][29][30], что обусловлено энергией запрещенной зоны объемного кристалла PbS, которая составляет 0.41 эВ [26]. Соответственно управление спектральным составом и квантовым выходом излучения для КТ PbS является актуальной задачей нанофотоники, поскольку обусловлено широким спектром их потенциального применения, в частности технологии оптоэлектронных устройств (детекторы, излучатели, нелинейные среды для управления интенсивностью и фазой излучения, сенсорные системы и др.…”