Specifics of Silicon Deep Anisotropic Etching in Trench MOSFET Manufacturing Technology

Abstract

Аннотация. В докладе рассмотрены особенности травления тренчей для формирования затвора в технологии изготовления вертикальных силовых МОП-транзисторов и представлены зависимости геометрии тренчей от па-раметров травления. Показано, что пропорциональное изменение расходов газов не оказывает существенного влияния на режим травления и вид тренчей, а соотношение времени травления и осаждения пассивации сильно влияет на наклон стенок тренча и шероховатость дна. Abstract. Operation of gate trench etching for vertical power MOSFET manufacturing technology is considered and investigation results are shown as dependences of trench geometry from etch parameters and as parameters of the final etch regime in this paper. It is shown that gas flows' proportional change has a little effect on the etch regime and the trench form, and etch time to deposition time ratio has a strong influence on the wall slope and the bottom roughness.