Spin and combined resonance on acceptor centres in Ge and Si type crystals—II

Stark effect in shallow impurities inSi

“…35 Note that there is a mistake in the corresponding expression in Ref. 24, where the last term between the square brackets is missing. 36 Levels belonging to the same representation of the spatial symmetry group C∞v can be seen to cross each other in Fig.…”

“…The two-fold degeneracy due to time reversal symmetry is obviously not removed by the electric field. The quadratic part of the effective Hamiltonian for a Γ 8 level, such as the ground state, is given by 24 [H]…”

Field Ionization of Shallow Acceptors

“…However, in real semiconductors, due to the presence of dislocations, residual and intentionally introduced impurities, the valence band edge and acceptor level degeneracies are partially lifted. Also, as shown in [2], the acceptor tunneling dynamics may be influenced by the acceptor Stark effect [3]. Thus, the experimental investigations are needed to get the tue picture of the acceptor-to-valence-band tunneling.…”

Анизотропные ян-теллеровские акцепторы, создаваемые в GaAs элементами первой группы с заполненной d-оболочкой О б з о р

“…Константа A T , характеризующая изменение энергии центра относительно дна зоны проводимости при всесто-роннем сжатии [34,35,37], обычно определяется из тем-пературной зависимости коэффициента Холла R H при гидростатических давлениях P v . Для центра, связываю-щего две дырки, необходимо рассматривать следующие два состояния: а) две дырки на глубоком акцепторе, б) одна дырка на глубоком акцепторе и одна дырка в валентной зоне.…”

“…24). Как видно из соотношений (33), (34), в среднем относительный вклад отдельного центра второй группы в I ⊥ ( ω) в 0.5r 0 (r 0 + 1) раз больше, чем их относительный вклад в I ( ω). При r 0 = 8 эта величина составляет 36, и в то же время спектр излучения от этой группы центров сдвинут на W .…”