Spin-dependent electron transport in a type II GaInAsSb/p-InAs heterojunction doped with Mn in quantized magnetic fields

Hybrid heterostructure with a nanolayer of diluted GaIn(Mn)AsSb compound in a type II broken-gap heterojunction

“…The features in quantum magnetotransport caused by the spin interaction of localized carriers at the interface were found out for such heterostructures [7]. Delta-doping with atomic Mn of the GaInAsSb quaternary alloy can be considered as an additional source of spin-oriented holes in a net current across the heterointerface upon applying an external magnetic field [8]. It should be noted that the issues concerned with structural, technological, and physical properties and associated with the formation of heavily Mn-doped heterostructures based on narrow-gap binary III-V compounds are still poorly studied.…”

Вертикальный транспорт в гетеропереходах II типа с композитными квантовыми ямами InAs/GaSb/AlSb в сильном магнитном поле

“…Ранее мы исследовали магнетотранспорт и вертикаль-ный транспорт в сильных магнитных полях и при низких температурах (T = 1.5−4.2 K) в объемных гетерострук-турах II типа p(n)-GaInAsSb/ p-InAs, выращенных методом жидкофазной эпитаксии с самосогласованными квантовыми ямами и электронным каналом с высокой подвижностью ( 10 5 см 2 /В · с) на интерфейсе твердого раствора и p-InAs [12][13][14][15][16][17]. В сильных магнитных полях (B > 12 Тл) наблюдались квантование вертикального кондактанса в условиях квантового эффекта Холла для планарной проводимости (магнитное поле в плоскости структуры, B S), гибридизация электронно-дырочных состояний при приложении напряжения смеще-ния [15,16] и обнаружен переход от полуметаллической системы в диэлектрическое состояние в магнитном поле B ≥ 12 Tл при расположении уровня Ферми между пер-выми уровнями Ландау для двумерных (2D) электронов.…”

“…В сильных магнитных полях (B > 12 Тл) наблюдались квантование вертикального кондактанса в условиях квантового эффекта Холла для планарной проводимости (магнитное поле в плоскости структуры, B S), гибридизация электронно-дырочных состояний при приложении напряжения смеще-ния [15,16] и обнаружен переход от полуметаллической системы в диэлектрическое состояние в магнитном поле B ≥ 12 Tл при расположении уровня Ферми между пер-выми уровнями Ландау для двумерных (2D) электронов. При этом вольт-амперная характеристика имела ступен-чатый характер в зависимости от напряжения смещения со ступеньками квантового кондактанса ∼ 2e 2 /h [17].…”

Magnetization in AIIIBV semiconductor heterostructures with the depletion layer of manganese

“…Advances in epitaxial growth technology, such as molecular beam epitaxy, have made it possible to grow a variety of semiconductor heterostructures with atomically controlled layer thicknesses and abrupt doping profiles, in which the wave function of carriers within the artificially designed potentials may be controlled. Unlike the random alloy system, δ-layer of Mn in GaAs provides the doping profile along the growth direction with the inherent advantages of δ-doping that it yelds higher dopant carrier concentration [4]. There is a large scatter in conductivities and Curie temperatures obtained by different groups in Ga(Mn)As materials [5].…”