Spin-flip Raman scattering in<i>n</i>-type diluted magnetic semiconductors

Peterson, D. L.; Bartholomew, D. U.; Debska, U.; Ramdas, A. K.; Rodríguez, S.

doi:10.1103/physrevb.32.323

Cited by 105 publications

(25 citation statements)

References 31 publications

Supporting

Mentioning

Contrasting

Unclassified

Order By: Relevance

“…The Fe concentration was determined from the energy of the free excitonic signature ͓E gx ͑x͔͒ observed in wavelengthmodulated reflectivity at zero magnetic field, in conjunction with the calibration E gx ͑x͒ = 1.594+ 1.78x ͑eV͒ obtained by Testelin et al 20 Figure 5 shows electron SFRS spectra recorded for x = 0.024 at 2 K. The Raman shift of electron SFRS, equal to the Zeeman splitting of the conduction-band minimum, is given by 7,28 …”

Section: B Electron Sfrsmentioning

confidence: 99%

Resonant electronic Raman scattering in a Van Vleck II-VI diluted magnetic semiconductor:Cd1−xFexTe

et al. 2005

Self Cite

View full text Add to dashboard Cite

The Van Vleck paramagnetism of Cd 1−x Fe x Te, a diluted magnetic semiconductor, is explored with electronic Raman spectroscopy of an internal transition of Fe 2+ , on the one hand, and the spin-flip Raman scattering ͑SFRS͒ from donor-bound electrons, on the other. Zeeman splitting of the Raman transition from the nonmagnetic ground state to the first excited state displays patterns consistent with energy levels responsible for the Van Vleck paramagnetism. SFRS, in turn, delineates characteristic features of the Van Vleck magnetization, as expected from s-d exchange interaction. The combination of SFRS and magnetization measurements yielded the s-d exchange constant in Cd 1−x Fe x Te, ␣N 0 = 244± 10 meV.

show abstract

Section: B Electron Sfrsmentioning

confidence: 99%

Resonant electronic Raman scattering in a Van Vleck II-VI diluted magnetic semiconductor:Cd1−xFexTe

et al. 2005

Self Cite

View full text Add to dashboard Cite

show abstract

“…First, the field dependence of the photo-induced magnetization is interpreted on the lines of that of the spin-flip Raman shift of Cdi_ x Mnx Te [4], i.e., the field dependent difference between the Stokes and anti-Stokes components brings about the polarization of the polaron magnetic moments dependent on the Mn content. This idea well explains the saturation of ΔMphoto at high fields.…”

Section: Resultsmentioning

confidence: 99%

Concentration Dependence of Photo-Induced Magnetization in Diluted Magnetic Semiconductor Cd_1-xMn_xTe

1997

View full text Add to dashboard Cite

The photo-induced decrease in magnetization ΔMphoto was observed in Cd1_ x Mnx Te (0.25 < x < 0.42) under unpolarized light illumination whose photon energy is smaller than the band gap of the sample. The photo-induced magnetization decreases with increasing Mn content through Mn 2 +-Mn2+ antiferromagnetic interaction, which supports our idea for origin of it based on the flipping of Mn spins in the bound magnetic polarons accompanied by the spin-flip Raman scattering.

show abstract

“…Это значение оказалось занижен-ным из-за того, что при его оценке не учитывалось влияние локальной деформации [29]. Поскольку метод НРСПС успешно использовался для изучения обменных взаимодействий и оценки обменных констант в РМП на основе соединений II−VI и III−V [29,[31][32][33][34][35][36][37], то он дол-жен быть использован для изучения тонкой структуры акцептора Mn во всех деталях.…”

Section: международная школа-семинар "unclassified

Энергетическая структура одиночного акцептора Mn в GaAs : Mn

Dimitriev¹,

Sapega²,

Аверкиев³

et al. 2018

Физика Твердого Тела

View full text Add to dashboard Cite

Исследована энергетическая структура акцептора марганца, состоящего из иона Mn 2+ и валентной дырки, при наличии внешнего магнитного поля и одноосной деформации. Исследованы спектры непругого рассеяния света с переворотом спина при резонансном возбуждении экситона, связанного на акцепторе Mn. Измерены g-факторы основного F = 1 и первого возбужденного F = 2 состояний, описаны правила оптических переходов между состояниями акцептора. Определена величина случайного поля (деформации или электрического поля), действующего на акцептор марганца, и деформационный потенциал для константы обменного взаимодействия комплекса Mn 2+ + дыркa. Развита теоретическая модель, учитывающая влияние случайного поля деформации, внешней одноосной деформации и магнитного поля. Предложенная модель хорошо описывает линии неупругого рассеяния света с переворотом спина акцептора Mn. ВведениеБыстро развивающаяся область спинтроники основана на предположении, что замена заряда спином в каче-стве носителя информации может привести к созданию устройств, характеризующихся более низким потребле-нием энергии, энергонезависимостью и высокой ско-ростью работы [1] Несмотря на эффективные способы детектирования намагниченности [2], манипуляция на-магниченностью в основном выполняется локальными магнитными полями, генерируемыми током, и очень неэффективна. Основная слабость существующих реали-заций магниторезистивной памяти с произвольным до-ступом заключается в нелокальном по своей природе ха-рактере магнитных полей, используемых для переворота ферромагнитных доменов во время операции записи. Ни тепловое, ни индуцированное током переключение [3] не могут полностью решить проблему.За последние десятилетия были предприняты значи-тельные усилия для расширения функциональных воз-можностей полупроводниковой электроники путeм син-теза магнитных полупроводников. Эта возможность бы-ла открыта после обнаружения ферромагнетизма в раз-бавленном магнитном полупроводнике (Ga,Mn)As [4].Разбавленные магнитные полупроводники (РМП) об-ладают большим потенциалом для эффективной спи-новой инжекции и манипуляции намагниченностью оп-тическими методами, так что они рассматриваются в настоящее время в качестве модельных материалов для спиновой электроники [5]. Спин-зависимые явления в полупроводниках, такие как спиновая поляризация, магнитная анизотропия (MA) и анизотропное магнито-сопротивление (АМР), в основном связанные со спин-орбитальным взаимодействием в валентной зоне [6], открывают концептуально новые возможности для об-работки и хранения информации, выходящие за рам-ки возможностей обычной электроники [7], и потен-циально применимы в энергонезависимых запомина-ющих устройствах и магниточувствительных устрой-ствах. К области возможного практического примене-ния ферромагнитных полупроводников также относят-ся сверхбыстрые магнитоэлектронные и магнитоопти-ческие устройства [8], спиновые инжекторы [9], тун-нельные переходы [10] и устройства, основанные на гигантском планарном эффекте Холла [11]: датчики для определения давления или считывающие переклю-чающиеся магнитны...

show abstract

Spin-flip Raman scattering inn-type diluted magnetic semiconductors

Cited by 105 publications

References 31 publications

Resonant electronic Raman scattering in a Van Vleck II-VI diluted magnetic semiconductor:Cd1−xFexTe

Resonant electronic Raman scattering in a Van Vleck II-VI diluted magnetic semiconductor:Cd1−xFexTe

Concentration Dependence of Photo-Induced Magnetization in Diluted Magnetic Semiconductor Cd_1-xMn_xTe

Энергетическая структура одиночного акцептора Mn в GaAs : Mn

Contact Info

Product

Resources

About

Spin-flip Raman scattering inn-type diluted magnetic semiconductors

Cited by 105 publications

References 31 publications

Resonant electronic Raman scattering in a Van Vleck II-VI diluted magnetic semiconductor:Cd1−xFexTe

Resonant electronic Raman scattering in a Van Vleck II-VI diluted magnetic semiconductor:Cd1−xFexTe

Concentration Dependence of Photo-Induced Magnetization in Diluted Magnetic Semiconductor Cd1-xMnxTe

Энергетическая структура одиночного акцептора Mn в GaAs : Mn

Contact Info

Product

Resources

About

Concentration Dependence of Photo-Induced Magnetization in Diluted Magnetic Semiconductor Cd_1-xMn_xTe