Spinodal Decomposition of Ga x In1−x As y P1−y Quaternary Alloys

Экспериментальные исследования влияния эффектов атомного упорядочения в эпитаксиальных твердых растворах Ga-=SUB=-x-=/SUB=-In-=SUB=-1-x-=/SUB=-P на их структурные и морфологические свойства

“…Постоянная решет-ки с учетом упругих напряжений в гетероэпитакси-альном слое a v в соответствии с линейной теорией упругости [7,13,14] может быть рассчитана следующим образом:…”

“…Взрыв интереса к данной области связан с необходимостью получения полупроводниковых наноструктур с характер-ными размерами ≤ 100 нм [1]. Актуальность проблемы упорядочения в первую очередь связана с модификацией фундаментальных свойств полупроводниковых систем, обусловленной изменением симметрии кристаллической структуры соединений A III B V [5][6][7][8][9][10]. В результате чего возникает изменение ширины запрещенной зоны у полу-проводника, переход от непрямозонного к прямозонному типу, инверсному порядку следования зон, усложнению оптических спектров сверхструктурных фаз в результате снятия вырождения с состояний потолка валентной зоны и дна зоны проводимости [3,11].…”

Влияние разориентации подложки на состав, структурные и фотолюминесцентные свойства эпитаксиальных слоев, выращенных на GaAs(100)

“…Однако в условиях миниатюриза-ции конечных устройств на основе A III B V производство оптоэлектронной компонентной базы требует повыше-ния функциональных свойств классических материа-лов [3], в том числе и для дальнейшей оптоволоконной интеграции полупроводников GaAs с различными под-ложками, в том числе и с кремниевой схемой обработ-ки сигналов. Поэтому поиск технологических приемов получения эпитаксиальных гетероструктур на основе A III B V с улучшенными функциональными свойствами продолжается [4,5].…”

Эпитаксиальные твердые растворы Al-=SUB=-x-=/SUB=-Ga-=SUB=-1-x-=/SUB=-As : Mg с различным типом проводимости

“…Поэтому огромное количество работ в области физики и тех-нологии полупроводниковых гетероструктур посвящено методам их формирования с использованием средств молекулярно-лучевой и МОС-гидридной эпитаксии [1,2]. Не менее значимыми являются работы по изучению закономерностей легирования эпитаксиальных гетеро-структур на основе соединений группы A III B V , по-скольку высокая производительность оптоэлектронных компонент на их основе может быть обеспечена лишь при условии однозначных представлений о структурных, оптических и энергетических свойствах материалов ге-теропары, а также понимании процессов и закономерно-стей легирования эпитаксиальных твердых растворов ак-цепторными и донорными примесями.…”