Stabilization of U1-centers and laser color centers in LiF:OH crystals

Влияние ультрафиолетового света на люминесценцию (700-1000 nm) кристаллов LiF и LiF : ОН, облученных в ядерном реакторе

“…В результате реакторного облучения в ИК спектрах обеих групп исследуемых образцов почти полностью исчезли полосы при 3550−3700 cm −1 и 3730 cm −1 (рис. 2, a, b), соответствующие гидроксильным ионам в кристаллах LiF и LiF : ОН, и появились полосы при 1890 [6][7][8]. Естественно, что количество этих центров значительно больше в кристаллах LiF : OH, обогащенных гидроксилом.…”

“…Таким образом, две указанные группы кристаллов LiF после облучения в реакторе отличались по количеству продуктов распада гидроксила -водорода и кислорода, представленных в решетке как в " свободном" состоянии (молекула, атом, ион), так и в различных комплексах (U 1 -центры и др.). Эти дефекты играют важную роль в стимулировании процессов радиационного дефектообразования [8] и в стабилизации термически неустойчивых лазерных центров окраски в щелочно-галоидных соединениях [3].…”

“…3Воздействие на облученные образцы УФ светом и комбинацией УФ + σПосле воздействия УФ светом или УФ + σ на исследуемые образцы в ИК спектрах (не приводятся) наблюдаeтся разрушение полос поглощения, связанных с U 1 -центрами, образованными в условиях реакторного облучения: для образцов LiF они исчезают полностью, а в ИК спектрах LiF : OH еще оставалось небольшое углубление в интервале 1700−2800 cm −1 . По-видимому, действие УФ света вызывает ионизацию обычно довольно устойчивых U 1 -центров[8], что ведет к их дальнейшей дестабилизации.Разрушение U 1 -центров влечет за собой разрушение стабилизирующих их ионов гидроксила и возрастание количества независимо существующих в решетке водорода и кислорода, которые даже в самых незначительных количествах существенно влияют на дефектную микроструктуру.Так, двухвалентные ионы кислорода, растворяясь в решетке щелочно-галоидного кристалла, стимулируют образование избыточного количества анионных вакансий, что, в свою очередь, способствует увеличению концентрации как элементарных, так и агрегатных центров окраски[8]. Эти же ионы, а также известные водородные ловушки участвуют в стабилизации неустойчивых при комнатной температуре лазерных центров и т. д. Ожидается, что эти изменения найдут отражение в результатах ФЛ.В диапазоне 825−925 nm для кристаллов LiF и LiF : OH наблюдаются (рис.…”

Преобразования радиационно-наведенных молекулярных точечных дефектов и центров окраски в кристаллах LiF под воздействием света

“…Также кислородные и водородные дефекты участвуют вместе с ионами и молекулами фтора в образовании молекулярных комплексов с водородной связью (МК с H-связью). Природа МК с H-связью и идентификация колебательных ИК-полос МК с H-связью и U 1 -центров (ионов водорода в междоузлии) до сих пор являются дискуссионными [5,8,[23][24][25][26][27][28][29][30][31][32][33][34][35][36]. Вследствие воздействия ионизирующего излучения в кристалле создаются ЦО, молекулярные дефекты, наночастицы лития (коллоиды лития) и скопления пузырьков газа фтора [2,[37][38][39][40][41].…”