Stationäre Photoleitung und p‐n‐Photoeffekt in SiC

Abstract

Es wird über Messungen der Spektralabhängigkeit der Photoleitung von p‐ und n‐leitenden α‐SiC‐Einkristallen in einem Gebiet von 0,6 eV bis 5,5 eV berichtet und mit der spektralen Verteilung des p‐n‐Photoeffektes an nachträglich angebrachten p—n‐Übergängen verglichen. Dabei wird festgestellt, daß sowohl p‐ als auch n‐leitende Kristalle mit zufälligen Verunreinigungen im allgemeinen eine stark ausgeprägte Störstellenphotoleitung aufweisen, die in der Hauptsache durch Anregung von Majoritätsträgern bedingt ist. Die Temperaturabhängigkeit des Bandabstandes wird aus der Verschiebung der langwelligen Kante der Photoleitung bzw. des p‐n‐Photoeffektes bestimmt.Es wird über Messungen der Temperaturabhängigkeit der Leitfähigkeit und der Photoleitfähigkeit in einem Intervall von 80 °K bis 800 °K berichtet. Die Lebensdauer der Majoritätsträger ist intensitätsabhängig; sie steigt mit wachsender Temperatur und erreicht bei hohen Temperaturen ein Maximum.