1994
DOI: 10.1002/pssa.2211450205
|View full text |Cite
|
Sign up to set email alerts
|

Stresses and Dislocation Formation in Thin Films

Abstract: The computer simulation of stresses in thin films after heat treatment is discussed. The specificity of defect appearance and stress relaxation in epitaxial ferrospinels (magnetic semiconductors) during the growth process and subsequent cooling is examined. The peculiarity of structure and surface layer properties in ferrospinels is revealed by experimentally studying plastic deformation.

Help me understand this report

Search citation statements

Order By: Relevance

Paper Sections

Select...
2
1

Citation Types

0
1
0
3

Year Published

2004
2004
2020
2020

Publication Types

Select...
3

Relationship

0
3

Authors

Journals

citations
Cited by 3 publications
(4 citation statements)
references
References 16 publications
0
1
0
3
Order By: Relevance
“…From Table 2, it is observed that with thermal treatment, tensile strain and dislocation density decreased. The decrease in the dislocation density is due to an increase in crystallinity of the film, which transforms into an ordered phase [38]. The texture coefficient (T C ) represents the texture of a particular plane, whose deviation from unity implies the preferred growth.…”
Section: Structural Analysis By X-ray Diffraction (Xrd)mentioning
confidence: 99%
“…From Table 2, it is observed that with thermal treatment, tensile strain and dislocation density decreased. The decrease in the dislocation density is due to an increase in crystallinity of the film, which transforms into an ordered phase [38]. The texture coefficient (T C ) represents the texture of a particular plane, whose deviation from unity implies the preferred growth.…”
Section: Structural Analysis By X-ray Diffraction (Xrd)mentioning
confidence: 99%
“…Пластическая деформация эпитаксиальных феррошпинелей. В процессе синтеза магниймарганцевых феррошпинелей на (001) плоскости окиси магния и последующего охлаждения релаксация напряжений осуществляется различными способами: упругой релаксации (упругий изгиб, тетрагональные искажения), образованием дислокаций несоответствия, изменением состава переходной области, образованием дислокационных скоплений различной конфигурации, малоугловых границ по мере роста пленки [19,[20][21][22][23][25][26][27]38,[60][61][62][63][64]. В пленках FeFe 2 O 4 , NiFe 2 O 4 , Li 0,5 Fe 2,5 O 4 реализуются условия для релаксации напряжения несоответствия за счет возникновения дефектов упаковки, частичных дислокаций, двойникования [26,65].…”
Section: механизмы релаксации напряжений и дефектообразования при гетunclassified
“…Вблизи подложки их плотность максимальная. По мере удаления от подложки плотность дислокаций уменьшается и [20][21][22][23]. Это на два порядка ниже критической плотности ДН (10 7 м -1 ), необходимой для полной компенсации периодов решеток оксида магния и феррита, что указывает на частичную релаксацию внутренних напряжений за счет пластической деформации для пленок магний-марганцевых ферритов.…”
Section: механизмы релаксации напряжений и дефектообразования при гетunclassified
“…Воздействие лазерного излучения с умеренными потоками мощности q<10 6 Вт/см 2 на стеклокристаллические материалы и алюмооксидную керамику приводило к аморфизации структуры, снижению микротвердости, образованию микротрещин, лимитирующих прочност-ные свойства материалов, а также к изменению их оптических, диэлектрических и химических свойств.…”
unclassified