Structural and optical properties of In4Se3 thin films obtained by flash evaporation

Benramdane, N.; Misho, R. H.

doi:10.1016/0927-0248(95)00031-3

Cited by 15 publications

(9 citation statements)

References 6 publications

Supporting

Mentioning

Contrasting

Unclassified

Order By: Relevance

“…The TMTC's not only possess a unique quasi-1-D structure, but also have promising semiconductor properties. For example, TiS 3 has a bandgap of ∼1 eV [69], while In 4 Se 3 has a direct bandgap of about 1.3 eV [70], [71] and an indirect gap of about 0.6 eV [72]- [74], making the bandgaps of both TiS 3 and In 4 Se 3 comparable to that of silicon (1.1 eV). Also, according to a recent theoretical study, in the direction along TiS 3 chains, titanium trisulfide is expected to have higher electron mobility of ∼10 000 cm 2 /Vs [70].…”

Section: Induced Polarizationmentioning

confidence: 99%

“…For example, TiS 3 has a bandgap of ∼1 eV [69], while In 4 Se 3 has a direct bandgap of about 1.3 eV [70], [71] and an indirect gap of about 0.6 eV [72]- [74], making the bandgaps of both TiS 3 and In 4 Se 3 comparable to that of silicon (1.1 eV). Also, according to a recent theoretical study, in the direction along TiS 3 chains, titanium trisulfide is expected to have higher electron mobility of ∼10 000 cm 2 /Vs [70]. HfS 3 , with a crystal structure similar to TiS 3 , will also possess highly anisotropic crystal structure and might be a suitable choice TMTC material for the development of the AFSOR logic device of Fig.…”

Section: Induced Polarizationmentioning

confidence: 99%

See 1 more Smart Citation

Towards a Strong Spin–Orbit Coupling Magnetoelectric Transistor

Dowben

Binek

Zhang

et al. 2018

IEEE J. Explor. Solid-State Comput. Devices Circuits

View full text Add to dashboard Cite

Here, we outline magnetoelectric (ME) device concepts based on the voltage control of the interface magnetism of an ME antiferromagnet gate dielectric formed on a very thin semiconductor channel with large spin-orbit coupling (SOC). The emphasis of the ME spin field-effect transistors (ME spin FET) is on an antiferromagnet spin-orbit read logic device and a ME spin-FET multiplexer. Both spin-FET schemes exploit the strong SOC in the semiconducting channel materials but remain dependent on the voltage-induced switching of an ME, so that the switching time is limited only by the switching dynamics of the ME. The induced exchange field spin polarizes the channel material, breaks time-reversal symmetry, and results in the preferential charge transport direction, due to the spin-orbit-driven spin-momentum locking. These devices could provide reliable room temperature operation with large on/off ratios, well beyond what can be achieved using magnetic tunnel junctions. All of the proposed device spintronic functionalities without the need to switch a ferromagnet, yielding a faster writing speed (∼10 ps) at a lower cost in energy (∼10 aJ), excellent temperature stability (operational up to 400 K or above), and requiring far fewer device elements (transistor equivalents) than CMOS.INDEX TERMS Magnetoelectric (ME) transistor, nonvolatile logic and memory, spin-orbit coupling (SOC).

show abstract

Section: Induced Polarizationmentioning

confidence: 99%

Section: Induced Polarizationmentioning

confidence: 99%

Towards a Strong Spin–Orbit Coupling Magnetoelectric Transistor

Dowben

Binek

Zhang

et al. 2018

IEEE J. Explor. Solid-State Comput. Devices Circuits

View full text Add to dashboard Cite

show abstract

“…Обрані в роботі як підкладки для інтерференційно-абсорбційних фільтрів базові кристали In 4 Se 3 і CdSb належать до анізотропних напівпровідників ромбічної сингонії і володіють близькими значеннями ширини забороненої зони [5]. Вони представляють інтерес з точки зору практичного застосування в ІЧ-техніці як фоточутливі елементи і абсорбційні фільтри [8][9][10]. Зміна положення λ гр для оптичних елементів на їх основі може бути досягнута при застосуванні їхніх твердих розчинів In 4 (Se 3 ) 1-х Te 3х , а також Cd 1-x Zn x Sb [11,12,5].…”

Section: аналіз літературних даних та постановка проблемиunclassified

Development of interference absorptive filters on In4(Se3)1-х Te3х and CdSb basic crystals

Стребежев¹,

Nichii²,

Юрійчук³

et al. 2014

EEJET

View full text Add to dashboard Cite

*Кафедра фізики напівпровідників и наноструктур Чернівецький національний університет ім. Юрія Федьковича, вул. Коцюбинського, 2, м. Чернівці, Україна, 58012 Створені інтерференційно-абсорбційні світлофільтри на базі кристалів In 4 (Se 3) 1-x Te 3x та CdSb для функціонування у близькій і середній ІЧ-області. Досліджені оптичні властивості та дефекти кристалів-підкладок, їхній вплив на характеристики світлофільтра. Розроблені плівкові інтерференційні системи для різних конструкцій і робочих діапазонів. Виміряні спектральні характеристики, вивчені умови забезпечення механічної стійкості та відтворюваності параметрів світлофільтрів Ключові слова: інтерференційний фільтр, інфрачервона область, спектральне пропускання, кристал In 4 Se 3 , CdSb Созданы интерференционно-абсорбционные фильтры на базе кристаллов In4(Se 3) 1-x Te 3x и CdSb для функционирования в ближней и средней ИК-области. Исследованы оптические свойства и дефекты кристаллов-подложек, их влияние на характеристики светофильтра. Разработаны пленочные интерференционные системы для различных конструкций и рабочих диапазонов. Измерены спектральные характеристики, изучены условия обеспечения механической прочности и воспроизводимости параметров светофильтров Ключевые слова: интерференционный фильтр, инфракрасная область, спектральное пропускание; кристалл In 4 Se 3 , CdSb

show abstract

“…Fig. 3(online colour at: www.pss-b.com) Composition dependence of the energy gap of studied In x Se 1-x () thin films and for a-In x Se 1-x taken from the literature (ᮀ -[12], ᭹ -[13], ᭺ -[14], ᭡ -[15], ᭝ -[16], ★ -[17], ✩ -[18], ✳ -[19], ᭜ -[20], ᭛ -[21]). Solid curve -relation (5) calculated for the best fitted parameters (see text).…”

mentioning

confidence: 99%

Temperature dependence of the energy gap of In_xSe_1–x compounds

Michalewicz¹,

Nowak²,

Kępińska³

2006

Physica Status Solidi (b)

View full text Add to dashboard Cite

The optical absorption for photon energies of In x Se 1-x thin films was used to determine the variation of the energy gap and the Urbach energy as a function of temperature in the range from 80 to 340 K at photon energies hν = 1.24 to 2.6 eV. The data were analyzed using the Varshni relation [Physica 34, 149 (1967)] for the temperature dependence of semiconductor band gaps. The formula by Yang et al. [cf., e.g., J. Phys. Chem. Solids 65, 1015(2004] for the temperature dependence of the energy width of the Urbach absorption edge was also used.

show abstract

Structural and optical properties of In4Se3 thin films obtained by flash evaporation

Cited by 15 publications

References 6 publications

Towards a Strong Spin–Orbit Coupling Magnetoelectric Transistor

Towards a Strong Spin–Orbit Coupling Magnetoelectric Transistor

Development of interference absorptive filters on In4(Se3)1-х Te3х and CdSb basic crystals

Temperature dependence of the energy gap of In_xSe_1–x compounds

Contact Info

Product

Resources

About

Structural and optical properties of In4Se3 thin films obtained by flash evaporation

Cited by 15 publications

References 6 publications

Towards a Strong Spin–Orbit Coupling Magnetoelectric Transistor

Towards a Strong Spin–Orbit Coupling Magnetoelectric Transistor

Development of interference absorptive filters on In4(Se3)1-х Te3х and CdSb basic crystals

Temperature dependence of the energy gap of InxSe1–x compounds

Contact Info

Product

Resources

About

Temperature dependence of the energy gap of In_xSe_1–x compounds