Structural-phase state and electrophysical properties of Ru thin films

Effect of Ru Interlayer thickness on Electrophysical Properties of Co/Ru/Co three-layer film systems

“…The detail analysis of crystal structure of thin-film systems based on Co and Ru and pure Ru thin films were performed in Ref. [25,26]. It was demonstrated that the diffraction patterns from Co/Ru/Co/Sub three-layer film systems in as-deposited state consist of a combination of a two hexagonal close-packed (hcp) crystal structures with lattice constants a = 0.270 nm, c = 0.429 nm (hcp-Ru), and a = 0.251 nm, с = 0.407 nm (hcp-Co).…”

“…The deposition rate was 1.0 nm/s. At such condensation conditions, all samples have nanocrystalline structure and do not contain impurities phases like oxides or carbides [25,26].…”

Structural and Phase State and Magnetoresistive Properties of Spin-Valve Structures Based on Co and Ru

“…Як було показано нами раніше [12], структура одношарових тонких плівок Ru залежить від їхньої товщини та температури підкладин- вання на аморфній вуглецевій плівці. Також необхідно відмітити, що у всіх розглянутих тришарових плівкових системах фазовий стан і кристалічна структура зразків залишалися незмінними при повторних циклах нагрівання й охолодження в інтервалі 300-600 К. Отже, процес температурного оброблення не впливає істотно на фазовий склад.…”