Structural phase transition in TlGaSe2 under high pressure

Jabarov, S. H.; Mammadov, T. G.; Mammadov, A. I.; Кичанов, С. Е.; Aliyeva, V. B.; Лукин, Е. В.

doi:10.1134/s102745101501005x

Cited by 29 publications

(6 citation statements)

References 17 publications

Supporting

Mentioning

Contrasting

Order By: Relevance

“…2) at a pressure P ∼ 3.5 GPa, took our attention. The investigations on the crystal structure of TlGaSe 2 using neutron diffraction method [5] did not reveal the presence of any PT at a pressure near 3.5 GPa. The comparison of our results obtained at ambient pressure with the results of other authors at P = 0 (Table 1) allows us to elucidate the changes observed in Raman spectra and v i (P) dependences (Fig.…”

Section: Resultsmentioning

confidence: 86%

“…The value of isothermal compressibility of TlGaSe 2 , obtained by investigation of pressure behavior of unit-cell parameters [5] and estimated on the base of experimentally determined values of elastic constants at T = 300 K and low pressures [36] is 0.04 GPa −1 and 0.034 GPa −1 , correspondingly.…”

Section: Resultsmentioning

confidence: 99%

“…At ambient conditions, TlGaSe 2 adopts a monoclinic crystal structure with the space group C2/c [2][3][4][5][6]. The layers in TlGaSe 2 are formed by Ga 4 Se 10 tetrahedrons, linked with each other by selenium atoms.…”

Section: Introductionmentioning

confidence: 99%

“…The assumption of the existence of four phases of TlGaSe 2 in the pressure range up to 13 GPa on the base of nonmonotonic shift of TlGaSe 2 optical transmission spectrum has been suggested in the literature [21]. In recent time, it has been revealed by neutron diffraction method that monoclinic TlGaSe 2 with parameter c ∼ 15.71 Å undergoes the PT without symmetry change in the pressure range of 0.2 GPa to 0.9 GPa [5]. It was shown that PT is characterized by reconstruction in the structure of the layer.…”

Section: Introductionmentioning

confidence: 99%

See 3 more Smart Citations

High Pressure Raman Study of Layered Semiconductor Tlgase₂

Jabarov

Aliyeva

Mammadov

et al. 2018

Materials Science-Poland

View full text Add to dashboard Cite

Raman spectroscopy measurements of a monoclinic layered semiconductor TlGaSe2were performed in a pressure range up to 10.24 GPa. The pressure-induced first-order phase transition accompanied by reconstruction of the layer structure was observed at the pressure P ~ 0.9 GPa. The mode-Grüneisen parameters of intralayer bonds were calculated for TlGaSe2. The contribution of thermal expansion to temperature changes of phonon frequencies was defined. The type of intralayer bonds and their pressure transformation were analyzed in layered TlGaSe2. It was shown that the nature of intramolecular forces in molecular crystals and intralayer forces in layered GaS, GaSe and TlGaSe2is similar

show abstract

Section: Resultsmentioning

confidence: 86%

Section: Resultsmentioning

confidence: 99%

Section: Introductionmentioning

confidence: 99%

Section: Introductionmentioning

confidence: 99%

See 2 more Smart Citations

High Pressure Raman Study of Layered Semiconductor Tlgase₂

Jabarov

Aliyeva

Mammadov

et al. 2018

Materials Science-Poland

View full text Add to dashboard Cite

show abstract

“…Unit cell parameters and reduced coordinates of atoms inside the unit cell (in units of the corresponding parameters of monoclinic unit cell) taken from [16,17], and our optimized data are given in Tables 1 and 2.…”

Section: Resultsmentioning

confidence: 99%

Vacancy Formation Energy for the Charged and Neutral States of TlGaSe$_{2}$ Crystal

Ismayilova¹,

Оруджев²

2017

Metallofiz. Noveishie Tekhnol.

View full text Add to dashboard Cite

Electronic band structure and defect formation energy of TlGaSe 2 are studied using density functional method within the Local Density Approximation. Calculated band structure shows that the top of valence band and the bottom of conduction band locate at the symmetry point  and along the symmetry line -Y, respectively. The defect formation energy is calculated as the difference between the total energy of a stable structure and the relaxed defect structure at constant volume. Calculation is done for the five charge states: 2, 1, 0, 1, 2. Energies of vacancies' (V Tl , V Ga , V Se ) formation are determined for the TlGaSe 2 crystal consisting of 63 atoms for the various charge states as a function of Fermi energy. The calculated optical properties indicate that the optical energy gap is increased due to the Se and Tl vacancies.Key words: density functional theory, local density approximation, charged vacancy, defect formation energy, Fermi level.Електронна структура зон та енергія утворення дефектів кристалу TlGaSe 2 вивчалися з використанням методи функціонала густини в на-ближенні локальної густини. Одержані з розрахунків електронного спек-тра кристалу у LDA-наближені результати показали, що дно зони провід-ности та стеля валентної зони розташовані в центрі Бріллюенової зони (у симетрійній точці ) та вздовж симетрійної лінії -Y відповідно. Енергія утворення дефекту обчислюється як ріжниця між повними енергіями Ключові слова: теорія функціонала густини, наближення локальної гус-тини, заряджені вакансії, енергія утворення дефекту, рівень Фермі.Электронная структура зон и энергия образования дефектов кристалла TlGaSe 2 изучались с использованием метода функционала плотности в приближении локальной плотности. Полученные из расчётов электрон-ного спектра кристалла в LDA-приближении результаты показали, что дно зоны проводимости и потолок валентной зоны расположены в центре зоны Бриллюэна (в симметрийной точке ) и вдоль симметрийной линии -Y соответственно. Энергия образования дефекта вычисляется как раз-ность между полными энергиями стабильной и оптимизированной де-фектной структур при постоянном объёме. Расчёты были выполнены для пяти зарядовых состояний: 2, 1, 0, 1, 2. Были установлены энергии формирования вакансий V Tl , V Ga , V Se в кристалле TlGaSe 2 , состоящем из 63 атомов, для различных зарядовых состояний в зависимости от уровня энергии Ферми. Вычисленные оптические свойства показывают, что оп-тическая энергетическая щель увеличивается из-за вакансий Se и Tl.Ключевые слова: теория функционала плотности, приближение локаль-ной плотности, заряженные вакансии, энергия образования дефекта, уро-вень Ферми.

show abstract