2013
DOI: 10.1080/00150193.2013.778577
|View full text |Cite
|
Sign up to set email alerts
|

Structure and Electrical Properties of Nanocomposites with TGS Inclusions

Help me understand this report

Search citation statements

Order By: Relevance

Paper Sections

Select...
5

Citation Types

0
6
0
7

Year Published

2014
2014
2024
2024

Publication Types

Select...
7

Relationship

0
7

Authors

Journals

citations
Cited by 16 publications
(13 citation statements)
references
References 10 publications
0
6
0
7
Order By: Relevance
“…Experimental studies have shown that properties of confined particles differ remarkably from those of bulk ferroelectrics (see, for instance, [1][2][3][4][5][6]). The most pronounced alterations were found at the phase transitions.…”
Section: Introductionmentioning
confidence: 98%
“…Experimental studies have shown that properties of confined particles differ remarkably from those of bulk ferroelectrics (see, for instance, [1][2][3][4][5][6]). The most pronounced alterations were found at the phase transitions.…”
Section: Introductionmentioning
confidence: 98%
“…Несмотря на то, что круг сегнетоэлектриков, внед-ряемых в поры различных матриц, достаточно широ-кий: NaNO 2 [5], Na 1−x K x NO 2 [6], KDP [7,8], ADP [8], NH 4 HSO 4 [9], TGS [10] и т. д., исследования очень часто были направлены на установление характера и степе-ни влияния ограниченной геометрии (типа матрицы и размера пор) на диэлектрические свойства компози-тов [5,6,[8][9][10][11][12][13][14][15][16][17]. В то же время теплофизические исследо-вания композитов сегнетоэлектрик−матрица, позволяю-щие получать полезную информацию о таких важных ха-рактеристиках фазовых переходов, как энтропия, тепло-вое расширение, восприимчивость к высоким внешним давлениям и т. д., проводились эпизодически и только поисковыми методами [5,7,8].…”
Section: Introductionunclassified
“…Именно поэтому в качестве сегнетоэлектрическо-го компонента нами выбран триглицинсульфат (TGS), в котором такого типа сегнетоэлектрический фазовый переход (P2 1 ↔ P2 1 /m) реализуется при T C = 321.4 K и сопровождается значительным изменением энтро-пии S = 6.78 J/mol · K = 0.815R [19]. При исследовании различных свойств внедренного в разного рода пористые матрицы TGS, за исключением теплофизических, бы-ли установлены следующие особенности [10][11][12][13]15,17]: 1) во внедренном TGS сохраняется сегнетоэлектриче-ское состояние ниже T C ; 2) обнаружена текстура TGS в порах матрицы Al 2 O 3 ; 3) уменьшение размера пор со-провождается увеличением объема элементарной ячей-ки TGS по сравнению с объемным монокристаллом; 4) наблюдалось значительное размытие фазового пере-хода; 5) немонотонное изменение температуры перехода с уменьшением размера пор -T C сначала растет, а начиная с 70 nm, убывает и становится ниже, чем в объемном TGS [15].…”
Section: Introductionunclassified
“…В таких материалах значительным изменениям, в первую очередь, подвергается сама температура фазового перехода в полярное состояние по сравнению с объемными сегнетоэлектриками [1][2][3][4][5][6][7][8][9][10][11][12][13][14][15][16][17]. В зависимости от материалов и размеров компонент сдвиг точки Кюри в композитных сегнетоэлектриках может достигать нескольких десятков градусов.…”
Section: Introductionunclassified
“…До последнего времени для создания матричных сегнетоэлектрических композитов использовали в основном матрицы пористого оксида алюминия, кремния, стекла, опала [1][2][3][5][6][7][8][9][10][11][12][13][14][15][16][17]. В работах [5,19] нами впервые приведены результаты исследований диэлектрических свойств матричных композитов на основе нанокристаллической целлюлозы (NCC) в качестве матрицы и триглицинсульфата (TGS) в качестве сегнетоэлектрического включения.…”
Section: Introductionunclassified