The growth quality ofYBaCuO thin films deposited by sputtering on different substrates (AlzOs, MgO, SrTiOs, Zr(Y)Oz) has been studied by X-ray diffraction and channeling experiments as a function ofthe deposition temperature. Besides the substrate orientation, the substrate temperature is the parameter determining whether films grow in c-, a-, (110) or mixed directions. Epitaxial growth correlates with high critical current values in the films ofup to 5.5 x 106 AJcm2 at 77 K. Ultrathin films with thicknesses down to 2 nm were grown revealing threedimensional superconducting behaviour. Films on (100) SrTiOs of9 nm thickness and below are partially strained indicating commensurate growth. From the analysis of the surface disorder 1 displaced Ba atom per Baz Y row was obtained indicating that the disordered layer thickness is about 0.6 nm. Tunnel junctions fabricated on these films reveal gap-like structures near ±16m V and ±30m V.Epitaktisches Wachsturn und Eigenschaften dünner Schichten des Hochtemperatur-Supraleiters YBaCuO ZUSAMMENFASSUNG Das Verfahren der Magnetron-Kathodenzerstäubung wurde zur Abscheidung dünner YBaCuO-Schichten auf verschiedenen Substraten (AlzOs, MgO, SrTiOs, Zr(Y)Oz) optimiert. Die Wachstumsrichtung und die kristalline Güte der Schichten wurde in Abhängigkeit von der Substrat-Oberflächengüte, der Orientierung und der Temperatur mittels Ionenchanneling und Röntgendiffraktion untersucht. Der Grad der Epitaxie und die Mosaik-Verbreiterung bestimmen den kritischen Transportstrom mit Werten bis zu 5.5 ·106 Ä/cm2 bei 77 K. Selbst in ultradünnen Schichten mit einer minimalen Dicke von bis zu 2 nm zeigt das supraleitende Verhalten 3-dimensionalen Charakter. Schichten auf (100) SrTiOs mit Dicken kleiner etwa 9 nm sind teilweise zur Unterlage verspannt, was auf kommensurables Wachstum hinweist. Die Channeling-Analyse der Schichtoberfläche ergibt in günstigen Fällen eine Verlagerung von nur 1 Ba-Atom pro Baz YKette, was einer maximalen Dicke der gestörten Oberfläche von etwa 0.6 nm entspricht. Auf diesen Schichten präparierte Tunneldioden zeigen Strukturen mit einer Energielücke inderNähe von ±16m V und ±30m V.--I --