“…Sinha és munkatársai azt is kimutatták, hogy egy ZnO/MWCNT n-p kapcsolható kemirezisztív szenzor esetében az alacsonyabb hőmérsékleti régiókban a réteg egyértelmű p-karakterisztikát mutatott (a hőmérséklet emelésével ez "átkapcsol" ntípusúba) 291 . Hasonló eredményeket kaptak a ZnO-dópolt MWCNT gáz szenzorok 292 , illetve egyéb p-n heteroátmenetek esetében is 293,294 . Amikor ezek a rétegek reduktív gázzal találkoznak, a detektálandó célmolekula elreagál a korábban a ZnO felszínén képződött O2ionokkal, aminek következtében a szabad elektronok koncentrációja lokálisan nő, emiatt a kiürített régió nő, aminek következtében a vezetés csökken.…”