Synthesis and Properties of Highly Efficient Thermoelectric Materials Based on Lead Telluride with Antimony and Silver Impurity

Freik, D. M.; Mudriy, S. І.; Криськов, Ц. А.; Gorichok, I. V.; Matkіvsky, O. M.; Semko, T. O.

doi:10.15330/pcss.16.1.49-54

Cited by 1 publication

(1 citation statement)

References 6 publications

(7 reference statements)

Supporting

Mentioning

Contrasting

Unclassified

Order By: Relevance

“…Дані величини можуть бути розраховані, як з використанням сучасних квантово-хімічних програм (GAMESS, Gaussian та ін..), так і на основі спрощених моделей. Причому, як було показано у [1][2][3][4], результат отриманий на основі напівемпіричних методів є достатнім для інтерпретації багатьох експериментальних даних.…”

Section: вступunclassified

Energy of Substitution of Anions and Cations in Zinc and Cadmium Telluride

Prokopiv

Horichok

Pylyponiuk

et al. 2016

PCSS

View full text Add to dashboard Cite

Енергії заміщення аніонів та катіонів у кадмій та цинк телуридах1 ДВНЗ « Прикарпатський національний університет імені Василя Стефаника», вул. Шевченка, 57, Івано-Франківськ, 76018, Україна, e-mail: fcss@pu.if Методом зв'язуючих орбіталей розраховані енергії заміщення катіонів та аніонів у ZnTe i CdTe атомами першої та сьомої груп Періодичної таблиці. На основі отриманих результатів зроблено висновки про найімовірніші типи дефектів при легуванні.Ключові слова: цинк телурид, кадмій телурид, легування, енергії заміщення.Стаття поступила до редакції 30.09.2016; прийнята до друку 05.12.2016. ВступАктуальність дослідження точкових дефектів зумовлена їх значним впливом на практично всі властивості напівпровідникових кристалів. При цьому, для встановлення переважаючого типу та концентрацій точкових дефектів необхідним є визначення їх енергій утворення. Дані величини можуть бути розраховані, як з використанням сучасних квантово-хімічних програм (GAMESS, Gaussian та ін..), так і на основі спрощених моделей. Причому, як було показано у [1-4], результат отриманий на основі напівемпіричних методів є достатнім для інтерпретації багатьох експериментальних даних.У [5-6], запропоновано методику розрахунку енергій утворення дефектів заміщення у напівпровідникових кристалах зі структурою сфалериту. При цьому, використано метод зв'язуючих орбіталей Харрісона [7]. Даний метод є дуже спрощений, тому отримати кількісно правильні величини складно, але якісні закономірності у досліджуваних параметрах відстежити можливо. Авторами [5,6] розглянуто випадки заміщення атомів матриці елементами третьої, четвертої та п'ятої груп Періодичної таблиці. Проте, поза увагою залишились елементи першої та сьомої груп, легування якими часто використовується для надання напівпровідникам потрібних властивостей. Метою нашої роботи є визначення енергій заміщення атомами Cu, Ag, Au, Cl, Br, I атомів матриці у кадмій та цинк телуридах. Згідно [5], енергія когезії визначається як сума доданків, кожен з яких враховує зміни у системі атомів при утворенні зв'язків між ними. Так, для утворення двоцентрового зв'язку в бінарному напівпровіднику необхідно затратити так звану енергію переходу [5]: I. Енергія когезіївідносяться до підгратки металу позначено верхнім індексом "+", а до підгратки телуру -індексом "-". В результаті утворення зв'язку маємо виграш в енергії:(2) Тут ковалентна і полярна енергії рівні, відповідно, ( )Енергія відштовхування, згідно [5], визначається як:E=4ηV ε (3) Параметр η 0 , визначений авторами [5] для алмазу, кремнію, германію та олова, (1.23, 1.95, 1.87, і 2.16, відповідно) і вважається однаковими для бінарних сполук з відповідного ряду Періодичної таблиці. Для ZnTe ми використали середнє значення величин η 0 для четвертого та п'ятого рядів.Металічна складова зв'язку:V=ε -ε 4, ( ) II. Енергія заміщенняЗміна енергії гратки при введенні домішки буде визначатись як:(7) Надалі параметрам, які належать до атомів заміщення D, згідно [5], будемо приписувати верхній індекс s. Також вважаєься, що міжатомні відстані при заміщенні залишаються та...

show abstract

Section: вступunclassified