Temperature dependence of the radiative and nonradiative recombination time in GaAs/<mml:math xmlns:mml="http://www.w3.org/1998/Math/MathML" display="inline"><mml:mrow><mml:msub><mml:mrow><mml:mi mathvariant="normal">Al</mml:mi></mml:mrow><mml:mrow><mml:mi mathvariant="italic">x</mml:mi></mml:mrow></mml:msub></mml:mrow></mml:math><mml:math xmlns:mml="http://www.w3.org/1998/Math/MathML" display="inline"><mml:mrow><mml:msub><mml:mrow><mml:mi mathvariant="normal">Ga</mml:mi></mml:mrow><mml:mrow><mml:mn>1</mml

Gurioli, Massimo; Vinattieri, A.; Colocci, M.; Deparis, C.; Massies, J.; Neu, G.; Bosacchi, A.; Franchi, Stefano

doi:10.1103/physrevb.44.3115

Cited by 242 publications

(117 citation statements)

References 28 publications

Supporting

Mentioning

100

Contrasting

Unclassified

Order By: Relevance

“…Как было ранее показано в работе [18], совместный анализ тем-пературных зависимостей константы затухания и инте-гральной интенсивности ФЛ позволяет оценить темпера-турную зависимость характерных времен излучательной и безызлучательной рекомбинации в предположении, что известен внутренний квантовый выход при одной определенной температуре. Вставка на рис.…”

Section: фотолюминесцентная спектроскопияunclassified

“…6) оказывается доминирующим, более чем в 2 раза превосходя время из-лучательной рекомбинации (звездочки на вставке рис. 6) даже при максимальной температуре 300 K. Показатель-но, что время излучательной рекомбинации фактиче-ски не зависит от температуры, что противоречит как экспериментальным наблюдениям, так и теоретическим моделям, демонстрирующим быстрый рост времени из-лучательной рекомбинации экситонов в квантовых ямах при увеличении температуры [18,19]. Это наблюдение подтверждает, что экситоны в исследуемых структурах должны рассматриваться как трехмерно локализованные вплоть до комнатной температуры.…”

Section: фотолюминесцентная спектроскопияunclassified

See 1 more Smart Citation

Наноструктуры AlGaN с экстремально высоким внутренним квантовым выходом при 300 K

Торопов¹,

Шевченко²,

Шубина³

et al. 2016

Физика Твердого Тела

View full text Add to dashboard Cite

Представлены результаты теоретической оптимизации конструкции гетероструктур с квантовыми ямами на основе твердых растворов AlGaN с целью достижения максимальной энергии активации носите-лей заряда и максимальной энергии связи экситона при длине волны излучения ∼ 300 nm. Методом молекулярно-пучковой эпитаксии с плазменной активацией азота изготовлен образец оптимизированной конструкции, в котором излучательная рекомбинация доминирует во всем диапазоне температур от 5 до 300 K, а внутренний квантовый выход при комнатной температуре составляет порядка 80% от величины, измеренной при 5 K.Работа выполнена при поддержке Российского научного фонда (проект № 14-22-00107).

show abstract

Section: фотолюминесцентная спектроскопияunclassified

Наноструктуры AlGaN с экстремально высоким внутренним квантовым выходом при 300 K

Торопов¹,

Шевченко²,

Шубина³

et al. 2016

Физика Твердого Тела

View full text Add to dashboard Cite

show abstract

“…While the charges are recombining and the saturation of defects diminishes the PL decay fastens. Using the integral PL intensities and the measured decay times the nonradiative lifetimes could be extracted [8]. The results are listed in Table I.…”

Section: -Ff32-023mentioning

confidence: 99%

“…[1] Nevertheless their application potential is not utilized for a long time yet, and the knowledge of the fundamental processes is far away from a deep understanding. Despite of dislocation densities >10 8 cm -2 light emitting devices (LED) and laser diodes (LD) based on InGaN show excellent performance in the blue spectral range. For LEDs with low excitation densities this can be attributed to the localization of excitons in indium fluctuations up to room temperature [2] that prevents carrier diffusion towards nonradiative recombination centers.…”

Section: Introductionmentioning

confidence: 99%

Luminescence Efficiency of InGaN/GaN Quantum Wells on Bulk GaN Substrate

Dworzak

Stempel

Hoffmann

et al. 2005

MRS Online Proceedings Library

View full text Add to dashboard Cite

Time-integrated and time-resolved photoluminescence measurements on InGaN quantum wells grown by MOCVD on two different substrates (sapphire and GaN) show that the luminescence efficiency in these structures strongly depends on the intensity of carrier excitation. While at low excitation densities the recombination of excited carriers is governed by localization effects the behavior drastically changes at higher densities. At room temperature a suppression of nonradiative recombination could be observed that leads to an super linear increase of the luminescence.

show abstract

“…Many studies have shown that increased temperatures ͑up to a certain temperature͒ will cause an increase of the radiative recombination time in twodimensional quantum structures. [9][10][11][12] Feldmann et al 10 explained the temperature dependence of the decay time in terms of momentum conservation for the free excitons. Since a thermal broadening of the free exciton will reduce the k = 0 exciton population, a smaller fraction of the excitons will fulfill the momentum conservation criteria and an increased exciton lifetime is expected.…”

Section: Figmentioning

confidence: 99%

Magnetic field effects on optical and transport properties inInAs∕GaAsquantum dots

et al. 2006

View full text Add to dashboard Cite

A photoluminescence study of self-assembled InAs/ GaAs quantum dots under the influence of magnetic fields perpendicular and parallel to the dot layer is presented. At low temperatures, the magnetic field perpendicular to the dot layer alters the in-plane transport properties due to localization of carriers in wetting layer ͑WL͒ potential fluctuations. Decreased transport in the WL results in a reduced capture into the quantum dots and consequently a weakened dot-related emission. The effect of the magnetic field exhibits a considerable dot density dependence, which confirms the correlation to the in-plane transport properties. An interesting effect is observed at temperatures above approximately 100 K, for which magnetic fields, both perpendicular and parallel to the dot layer, induced an increment of the quantum dot photoluminescence. This effect is ascribed to the magnetic confinement of the exciton wave function, which increases the probability for carrier capture and localization in the dot, but affects also the radiative recombination with a reduced radiative lifetime in the dots under magnetic compression.

show abstract

Temperature dependence of the radiative and nonradiative recombination time in GaAs/AlxGa1

Cited by 242 publications

References 28 publications

Наноструктуры AlGaN с экстремально высоким внутренним квантовым выходом при 300 K

Наноструктуры AlGaN с экстремально высоким внутренним квантовым выходом при 300 K

Luminescence Efficiency of InGaN/GaN Quantum Wells on Bulk GaN Substrate

Magnetic field effects on optical and transport properties inInAs∕GaAsquantum dots

Contact Info

Product

Resources

About