2010
DOI: 10.1016/j.apsusc.2010.01.025
|View full text |Cite
|
Sign up to set email alerts
|

Temperature dependence of the sticking coefficient in atomic layer deposition

Help me understand this report

Search citation statements

Order By: Relevance

Paper Sections

Select...
4
1

Citation Types

0
41
0
12

Year Published

2013
2013
2023
2023

Publication Types

Select...
4
1
1

Relationship

0
6

Authors

Journals

citations
Cited by 49 publications
(53 citation statements)
references
References 12 publications
0
41
0
12
Order By: Relevance
“…Для количественного сравнения полученных нами результатов с другими авторами [5] будем исследовать рост пленки HfO 2 методом атомно-слоевого осаждения из тетраэтилметиламиногафния (TEMAH) и паров воды. Как было показано нами ранее [10], время ALD-цикла в этом случае лимитируется временем подачи первого прекурсора (ТЕМАН).…”
Section: система кинетических уравненийunclassified
See 4 more Smart Citations
“…Для количественного сравнения полученных нами результатов с другими авторами [5] будем исследовать рост пленки HfO 2 методом атомно-слоевого осаждения из тетраэтилметиламиногафния (TEMAH) и паров воды. Как было показано нами ранее [10], время ALD-цикла в этом случае лимитируется временем подачи первого прекурсора (ТЕМАН).…”
Section: система кинетических уравненийunclassified
“…При расчетах использованы характерные для TEMAH параметры ALD-процесса [5]: температура подложки T s = 270…”
Section: система кинетических уравненийunclassified
See 3 more Smart Citations