2016
DOI: 10.1016/j.apsusc.2016.06.138
|View full text |Cite
|
Sign up to set email alerts
|

Temperature-dependent stoichiometric alteration in ZnO:Mn nanostructured thin films for enhanced ferromagnetic response

Help me understand this report

Search citation statements

Order By: Relevance

Paper Sections

Select...
1
1
1
1

Citation Types

1
1
0
2

Year Published

2016
2016
2023
2023

Publication Types

Select...
8
1

Relationship

0
9

Authors

Journals

citations
Cited by 12 publications
(4 citation statements)
references
References 27 publications
1
1
0
2
Order By: Relevance
“…Even the first derivative of [ F ( R ) * h ν] 2 vs h ν for hydrogenated samples displays a marked shoulder at the high energy side located at 3.324 and 3.328 eV for ZnO-H2 and ZnO-H10, respectively, whereas this feature was not observed for U-ZnO and ZnO-TV2 (inset of Figure b). This feature has been reported by other authors and associated with the acceptor-bound excitons (A 0 X) a near-band-edge emission (NBE) located around 3.329 eV and due to the presence of V Zn as acceptors.…”
Section: Resultssupporting
confidence: 79%
“…Even the first derivative of [ F ( R ) * h ν] 2 vs h ν for hydrogenated samples displays a marked shoulder at the high energy side located at 3.324 and 3.328 eV for ZnO-H2 and ZnO-H10, respectively, whereas this feature was not observed for U-ZnO and ZnO-TV2 (inset of Figure b). This feature has been reported by other authors and associated with the acceptor-bound excitons (A 0 X) a near-band-edge emission (NBE) located around 3.329 eV and due to the presence of V Zn as acceptors.…”
Section: Resultssupporting
confidence: 79%
“…Trong phổ PL của các cấu trúc nano ZnO và Cr-ZnO, hình dạng của phổ PL bị biến đổi do quá trình pha tạp ion Cr 3+ vào tinh thể ZnO. Mẫu pha tạp có cường độgiảmmạnh so với mẫu ZnO, docác khuyết tật điểm trong mạng tinh thể ZnO được tăng lênvà các phát xạ của điện tử sau khi được kích thích phát ra năng lượng nhỏ, thời gian sống của điện tử lâu hơn vì có sự chuyển các mức năng lượng nhỏ trong vùng cấm trước khi trở về vùng hóa trị [9,22,26]. Từ những kết quả này, có thể kết luận rằng phương pháp pha tạp có ảnh hưởng lớn đến các loại khuyết tật và nồng độ khuyết tật trong cấu trúc nano ZnO góp phần làm thay đổi cấu trúc năng lượng trong vùng cấm và làm tăng cường hoạt tính quang xúc tác.…”
Section: Phổ Huỳnh Quang (Pl)unclassified
“…Despite the difference in ionic radii between Mn 2+ (0.083 nm) and Zn 2+ (0.074 nm) and the limited solubility of approximately 13% in the ZnO matrix [25], extensive studies confirm that manganese ions can effectively substitute for zinc ions without inducing distortion in the ZnO lattice. At low concentrations (1%-5%), this substitution process provides favorable properties such as homogenous grain shape, solid texture, and improved crystallinity [6,[26][27][28]. Consequently, ZnMnO thin films prove to be an ideal material for short-wavelength magneto-optical applications.Currently, a variety of techniques are employed for the synthesis of ZnO nanomaterials, including hydrothermal methods [29][30][31], solution processing [32], pulsed laser deposition [33], and pyrolysis sputtering [10,13,34].…”
Section: Introductionmentioning
confidence: 99%