2018
DOI: 10.1016/j.apsusc.2018.04.117
|View full text |Cite
|
Sign up to set email alerts
|

Terahertz surface emission from layered semiconductor WSe2

Help me understand this report

Search citation statements

Order By: Relevance

Paper Sections

Select...
2
1

Citation Types

3
38
0
2

Year Published

2019
2019
2023
2023

Publication Types

Select...
8

Relationship

2
6

Authors

Journals

citations
Cited by 42 publications
(43 citation statements)
references
References 58 publications
3
38
0
2
Order By: Relevance
“…Compared to the other photocurrent electrical detection with electrodes, THz emission spectroscopy is a nondestructive way with more information such as polarization, amplitude, phase, and polarity . THz emission spectroscopy has been used for the photophysical understanding of some advanced materials such as layered materials MoS 2 , WS 2 , WSe 2 , CH 3 NH 3 PbI 3 , and topological insulator . However, these is no evidence yet of high‐order shift current by TPA process involved in THz emission possibly due to low TPA cross‐sections in these materials.…”
Section: Introductionmentioning
confidence: 99%
“…Compared to the other photocurrent electrical detection with electrodes, THz emission spectroscopy is a nondestructive way with more information such as polarization, amplitude, phase, and polarity . THz emission spectroscopy has been used for the photophysical understanding of some advanced materials such as layered materials MoS 2 , WS 2 , WSe 2 , CH 3 NH 3 PbI 3 , and topological insulator . However, these is no evidence yet of high‐order shift current by TPA process involved in THz emission possibly due to low TPA cross‐sections in these materials.…”
Section: Introductionmentioning
confidence: 99%
“…Following photoexcitation, we find relatively slow (time scale ∼ 0.6 ps) out-of-plane photocurrents that are dominant in the ML samples and fast (∼ 50 fs) in-plane photocurrents that are dominant in the BL devices. We ascribe the out-of-plane photocurrent in the ML to drift of photoexcited carriers in the surface electric field [25][26][27][28] and the in-plane photocurrent in the BL to a resonant shift current [29][30][31][32][33]. Finally, the large bandwidth of our experiment allows us to detect oscillations in the THz emission which we attribute to quantum beats between inter-and intra-layer excitonic states in MoSe 2 [34][35][36].…”
mentioning
confidence: 70%
“…Что касается нелинейно-оптических механизмов генерации, то в объемном центросимметричном 2H-WSe 2 с пространственной группой маловероятна генерация за счет эффекта оптического выпрямления. В центросимметричных средах нелинейные эффекты второго порядка не проявляются, однако возможен вклад в генерацию ТГц излучения, связанный с возникновением нелинейной поляризации третьего порядка -процесс поверхностного оптического выпрямления [8]:…”
Section: результаты и обсужденияunclassified
“…В нецентросимметричных кристаллах механизм возникновения ТГц-генерации в основном обусловлен вкладом, связанным с возникновением компоненты нелинейной поляризации второго порядка (оптическое выпрямление [3]). В случае центросимметричного кристалла возможен вклад в генерацию ТГц-излучения за счет поверхностного оптического выпрямления -нелинейного эффекта третьего порядка [8]. Диаграмма направленности генерируемого ТГц-излучения, которое возникает за счет эффекта нелинейно-оптического выпрямления, может быть схожа с диаграммой направленности ТГц-излучения, генерируемого в нелинейно-оптических кристаллах ZnTe [9].…”
unclassified