The behaviour of microquantities of sulphur heated in vacuum in silica tubes

Abstract

The investigation have been made on the reasons for chemical changes of 35S during heating (570°C, 50 h) in vacuum (2 · 10−5 Torr) in silica tubes. The potential influence of: residual gases; adsorbed gases; gases, penetrating through tube walls; structural defects in silica and surface SiO2 layer is discussed. It is suggested that the gases and water vapour adsorbed on the surface and surface SiO2 layer (which has higher reactivity and adsorbing ability) are the main reasons for the observed chemical changes. The conditions of the experiments have been found so to minimize these changes.

Zum chemischen Transport von Tantal(V)‐oxid mit Schwefel

“…(1) ware dies so verstandlich, daB kleine 0,-Mengen zur SO,-Bildung fiihren, die das Transportgleichgewicht nach links verschieben. Diese Uberlegung wurde bei n e u e n E x p e r i m e n t e n beriicksichtigt : Zylindrische Ampullen (1 = 16 em, di = 1,80 em) aus besonders wasserarmem Quarzglas wurden nach Beschickung mit Ta,O, 24 h bei 1073 K im Hochvakuum ausgeheizt [5] (Erniedrigung des Wassergehalts des Quarzglases) und dann rnit soviel 6 N-Schwefel (Koch-Light) beschickt, daB der Gesamtdruck bei der mittleren Temperatur L'P(S,. 1223 K) = 9,3 atm betrug.…”