2013
DOI: 10.1016/j.jnucmat.2013.01.208
|View full text |Cite
|
Sign up to set email alerts
|

The effect of displacement damage on deuterium retention in tungsten exposed to D neutrals and D2 gas

Abstract: Samples of polycrystalline ITER-grade W and recrystallized W were irradiated at room temperature with 20 MeV W ions to displacement damage up to 0.5 dpa. The damaged W samples were then exposed to (i) D neutrals at 403-573 K and (ii) D2 gas at 673-1073 K and pressures of 1.2 and 100 kPa. Trapping of deuterium in the damage zone was examined by the K, on the D 2 gas pressure. Thermal desorption spectra allowed a conclusion that deuterium is mainly accumulated in the form of D atoms bound to inner walls of vacan… Show more

Help me understand this report

Search citation statements

Order By: Relevance

Paper Sections

Select...
2
1
1

Citation Types

2
9
0
10

Year Published

2013
2013
2021
2021

Publication Types

Select...
8

Relationship

4
4

Authors

Journals

citations
Cited by 25 publications
(21 citation statements)
references
References 24 publications
2
9
0
10
Order By: Relevance
“…A similar effect was observed for self-damaged W exposed at about 700 K to the low-energy, high-flux D plasma and D 2 gas at 100 kPa [21].…”
Section: Discussionsupporting
confidence: 76%
“…A similar effect was observed for self-damaged W exposed at about 700 K to the low-energy, high-flux D plasma and D 2 gas at 100 kPa [21].…”
Section: Discussionsupporting
confidence: 76%
“…The thickness of the damaged zone created by 20MeV W ions was evaluated to be ≈ 2μm as shown later. These specimens were annealed in vacuum (10−5 Pa) at 973, 1123, 1273 and 1573 K for 6 h. Then, the specimens were exposed to D 2 gas instead of D plasma at 673 K and 100 kPa in the manner described in [6,10] Planck-Institut für Plasmaphysik [10]. As reported in previous papers [6,7], the probability of trap occupancy by D sensitively depends on the concentration of D in the solid solution state if the temperature is sufficiently high to attain trapping-detrapping equilibrium.…”
Section: Ion Irradiation Annealing and D Measurementsmentioning
confidence: 99%
“…Было показано, что эти ионно-индуцированные дефекты значительно увеличивают содержание дейтерия, вводимого в радиационно-повреждённый материал при последующем ионном или плазменном облучении, а также при выдержке в атмосфере газообразного дейтерия [8,11,12,22,23,27,28,52,53]. В дальнейшем вольфрам, облу-чённый ионами энергией несколько МэВ, будет именоваться как радиационно-повреждённый.…”
Section: накопление дейтерия в вольфраме содержащем ионно-индуцироваunclassified
“…Образцы вольфрама, предварительно облучённые при 300 К ионами W энергией 20 МэВ до уровня смещений в пике 0,5 сна, облучались затем ионами гелия энергией 1 кэВ при температуре 473, 623 и 823 K до доз облучения в интервале (3,7-5)10 22 He/м 2 . Затем эти образцы выдерживались в атмосфере дейтерия при температуре 673 К и давлении 100 кПа в течение 10 ч. Профили распреде-ления захваченного на радиационных дефектах дейтерия измерялись методом ядерных реакций D( 3 He, p) 4 He.…”
Section: накопление дейтерия в вольфраме содержащем ионно-индуцироваunclassified
See 1 more Smart Citation