The family (InAs, GaSb, AlSb) and its heterostructures: a selective review

Enhanced Sb incorporation in InAsSb nanowires grown by metalorganic vapor phase epitaxy

“…However, these materials may suffer from rough heterointerfaces 1,2 and weak light absorption due to a spatial separation of the carriers. 3 The nanowire geometry is less sensitive to lattice-mismatch 4,5 and nanowire heterostructures with high lattice-mismatch ͑up to 15%͒ have been demonstrated with a maintained high crystal quality. 6 So far, reports on antimonide-arsenide alloy nanowires are sparse, focusing mostly on GaAsSb.…”

Epitaxial growth of GaSb and InAs fins on 300 mm Si (001) by aspect ratio trapping

“…The wide range of energy gaps, as well as the unique band offsets between combinations of these materials and their alloys, provide enormous flexibility in designing novel electronic and optical devices [1][2][3]. In particular, GaSb/InAs broken gap heterojunction Tunnel Field-Effect Transistors (TFET) with record high-ON current have recently been demonstrated [4].…”

Вертикальный транспорт в гетеропереходах II типа с композитными квантовыми ямами InAs/GaSb/AlSb в сильном магнитном поле

“…Электроны перетекают в КЯ InAs из валентной зоны КЯ GaSb за счет кулоновского взаимодействия, приводя к изгибу краев зон на интерфейсе [1,6]. Расчет зонных диаграмм ККЯ InAs/GaSb приводился в [1][2][3][4]. Расчет уровней Ландау для электронов и дырок в сверх-решетке InAs (20 нм)/GaSb (5 нм), проведенный в [26,27], показал, что наинизшие уровни Ландау для 2D элект-ронов и тяжелых 2D дырок пересекаются в сильном магнитном поле B = 35.7 Tл, определяя область пе-рехода полуметалл-полупроводник в магнитном поле для нелегированных квантовых ям InAs/GaSb.…”

“…В последние десятилетия активно исследуются маг-нитотранспортные и спин-зависимые явления в разъ-единенных гетеропереходах II типа InAs/GaSb, вклю-чая квантовые ямы и сверхрешетки с такими перехо-дами [1][2][3][4][5][6][7][8][9][10][11]. Благодаря уникальной зонной структуре, в которой край зоны проводимости InAs на гетеро-границе лежит на = 150 мэВ ниже дна валентной зоны GaSb [1,2,4], появляется возможность управлять смещением и гибридизацией электронно-дырочных со-стояний с помощью электрического [1][2][3][4][5] и магнит-ного полей [3][4][5][6][7][8][9][10].…”

“…Благодаря уникальной зонной структуре, в которой край зоны проводимости InAs на гетеро-границе лежит на = 150 мэВ ниже дна валентной зоны GaSb [1,2,4], появляется возможность управлять смещением и гибридизацией электронно-дырочных со-стояний с помощью электрического [1][2][3][4][5] и магнит-ного полей [3][4][5][6][7][8][9][10]. В композитных квантовых ямах (ККЯ) InAs/GaSb/AlSb с инвертированной зонной струк-турой на гетерогранице II типа, выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии (МПЭ) на подложках GaAs, исследованы низкотемпературные топологические свойства и спиновый эффект Холла [6,9] при располо-жении уровня Ферми в пределах щели гибридизирован-ных электронно-дырочных состояний [7], изучена роль краевых состояний [9] и показана возможность создания гибридных структур со сверхпроводящими слоями [11].…”