The field dependence of dielectric parameters in chalcogenide glassy systems

Polarization processes in thin layers of glassy hybrid system Ge-=SUB=-28.5-=/SUB=-Pb-=SUB=-14.0-=/SUB=-Fe-=SUB=-1.0-=/SUB=-S-=SUB=-56.5-=/SUB=-

“…The existence of the potential barrier is based on the Coulomb interaction between neighboring defect states forming a dipole. Correlation between the results of this paper and the conclusions made in [23] confirms the hypothesis of existence of a spectrum of defect states, electron exchange between which creates quasidipoles accountable for the permittivity dispersion and dielectric losses in the lowfrequency area.…”

Диэлектрическая релаксация в тонких слоях стеклообразной системы Ge-=SUB=-28.5-=/SUB=-Рb-=SUB=-15-=/SUB=-S-=SUB=-56.5-=/SUB=-

“…Существование потенциально-го барьера обусловлено кулоновским взаимодействием между соседними дефектными состояниями, образую-щими диполь. Корреляция между результатами дан-ной работы с выводами авторов [8] свидетельствует в пользу гипотезы о существовании спектра дефектных состояний, обмен электронами между которыми созда-ет квазидиполи, ответственные за дисперсию диэлек-трической проницаемости и диэлектрические потери в области низких частот. Обмен электронами может осуществляться, например, между атомами германия, пребывающими в двух-и четырехвалентном состоянии соответственно [14].…”

“…Методами термоак-тивационной спектроскопии в интервале температур T = 260−280 K для системы Ge 28. 5 Рb 15 S 56.5 установлено существование дефектных состояний с энергией активации 0.43 эВ, концентрация которых составляет ∼ 10 16 см −3 [8]. На основании экспериментальных кривых изотермической релаксации темнового тока [9] впервые был проведен расчет функции распределения времен релаксации, ее основных параметров и их температурной зависимости, доказано существование в исследуемой системе " недебаевского" механизма дисперсии в интервале инфранизких частот.…”