The investigation on the front surface field of aluminum rear emitter N-type silicon solar cells

Xi, Xi; Chen, Xiaojing; Zhang, Song; Li, Wenjia; Shi, Zhao; Li, Guohua

doi:10.1016/j.solener.2015.01.019

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“…In addition, compared with p‐type silicon, n‐type silicon is reported to have less light induced degradation caused by boron‐oxygen complexes . To exploit these advantages of n‐type silicon, the screen‐printed aluminum‐alloyed back‐junction solar cells have been investigated as a candidate of low‐cost and industrially feasible n‐type silicon solar cells …”

Section: Introductionmentioning

confidence: 99%

Fabrication and temperature‐dependent performance of aluminum‐alloyed back‐junction n‐type silicon solar cells

Lin

et al. 2017

Progress in Photovoltaics

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Aluminum-alloyed back-junction is a novel concept for low-cost and industrially feasible n-type silicon solar cells. In this paper, we fabricated industrially high-efficiency solar cells based on both uncompensated and compensated n-type silicon. Moreover, we measured the impact of temperature on the photovoltaic performance of aluminum-alloyed back-junction n-type silicon solar cells. Compared with conventional front-junction solar cells, the back-junction silicon solar cells have a lower absolute temperature coefficient especially for moderate carrier diffusion lengths which is attributed to distinctive spectral response, stronger dependence on carrier diffusion lengths, and incomplete ionization of aluminum. In addition, the lowest absolute temperature coefficient is obtained on this type of aluminum-alloyed back-junction solar cell when the compensated silicon is used as the base layer. These results suggest that aluminumalloyed back-junction solar cells especially based on the compensated silicon can generate more electricity at a high temperature, and therefore, as a cost-effective production of silicon solar cells, this type of solar cells have a very good potential for actual outdoor application. This work is highly relevant to the development of an advanced process for the achievement of low-cost, high-efficiency, commercially viable silicon-based solar cells.

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Section: Introductionmentioning

confidence: 99%

Fabrication and temperature‐dependent performance of aluminum‐alloyed back‐junction n‐type silicon solar cells

Lin

et al. 2017

Progress in Photovoltaics

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“…Além disso, se for produzida com campo retrodifusor frontal, aumenta a tensão de circuito aberto. As características do campo retrodifusor frontal (FSF -frontal surface field) em células solares base n assemelham-se àqueles do BSF em células de base p (Xi et al, 2015).…”

unclassified

INFLUÊNCIA DA CONCENTRAÇÃO DE POCl3 NA FORMAÇÃO DO CAMPO RETRODIFUSOR FRONTAL DE CÉLULAS SOLARES BASE N

Alves Gonçalves,

Zanesco,

Moehlecke

et al. 2021

RBENS

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Células solares de silício base n com emissor posterior de alumínio ou boro têm potencial de alcançar alta eficiência, apresentam baixa degradação à radiação solar e podem ser fabricadas com a tecnologia atual da indústria. Nesta estrutura de célula solar, o campo retrodifusor frontal (FSF – front surface field) é produzido pela difusão de fósforo, que em dispositivos base p, forma o emissor. O objetivo deste artigo é avaliar a influência da concentração de POCl3 nas características do campo retrodifusor frontal de fósforo em células solares base n, por meio da análise da resistência de folha e do perfil de fósforo. A difusão do fósforo foi realizada na temperatura de 845 °C e variou-se a concentração de POCl3 (CPOCl3) na câmara de processamento de 0,026 % a 0,064 %. As lâminas de Si foram colocadas com a face posterior juntas para reduzir a difusão de fósforo na face posterior onde será formado o emissor. Constatou-se que a resistência de folha no campo retrodifusor frontal de fósforo variou de (48 ± 3) Ω/□ a (72 ± 3) Ω/□, com a redução da concentração de POCl3 de 0,064 % e 0,026 %. A concentração em superfície (CS) de fósforo variou de 7,7x1020 a 1,0x1020 átomos/cm3 e observou-se a tendência de aumento de CS com o aumento da concentração de POCl3. Em relação ao perfil de fósforo verificou-se que, em geral, a concentração de fósforo em função da profundidade é maior para os perfis com maior CPOCl3. A concentração de POCl3 afeta principalmente a concentração de fósforo próximo à superfície, e este parâmetro aumenta até a profundidade de aproximadamente 0,025 µm, formando a “camada morta”. Na face posterior, constatou-se que a profundidade da região altamente dopada e a concentração em superfície são menores que os valores obtidos no campo retrodifusor frontal e não se observou a “camada morta”.

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Relationship between photovoltaic and diode characteristic parameters in the Sn/p-Si Schottky type photovoltaics

Özkartal

Temırcı

2016

Solar Energy

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The investigation on the front surface field of aluminum rear emitter N-type silicon solar cells

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Fabrication and temperature‐dependent performance of aluminum‐alloyed back‐junction n‐type silicon solar cells

Fabrication and temperature‐dependent performance of aluminum‐alloyed back‐junction n‐type silicon solar cells

INFLUÊNCIA DA CONCENTRAÇÃO DE POCl3 NA FORMAÇÃO DO CAMPO RETRODIFUSOR FRONTAL DE CÉLULAS SOLARES BASE N

Relationship between photovoltaic and diode characteristic parameters in the Sn/p-Si Schottky type photovoltaics

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