The mechanism of contact-resistance formation on lapped n-Si surfaces

Effect of microwave treatment on current flow mechanism in ohmic contacts to GaN

“…This model took into account the density of the so-called conducting dislocations (oriented along the normal to the semiconductor surface) and scattering dislocations (oriented at an angle to that normal). It was found that the dislocation density calculated from the dependence ρ с (Т) agrees with that obtained experimentally from the etch pit density [8] and X-ray diffraction studies [6]. The model [7] can also describe ρ с (Т) curves decreasing with temperature.…”

On the ohmicity of Schottky contacts

“…В работе [5] были получены общие соотношения для удельного контактного сопротивления таких контактов. В предельном случае, когда протекающий ток ограничивается сопротивлением шунтов, справедливы выражения [3], а в другом предельном случае, когда действует ограничение тока подводом к торцам шунтов, справедливы соотношения, приведенные в [6,7]. В работах [6,7] был выполнен модельный эксперимент для контактов кремний-металл с предварительно шлифованной поверхностью.…”

“…В предельном случае, когда протекающий ток ограничивается сопротивлением шунтов, справедливы выражения [3], а в другом предельном случае, когда действует ограничение тока подводом к торцам шунтов, справедливы соотношения, приведенные в [6,7]. В работах [6,7] был выполнен модельный эксперимент для контактов кремний-металл с предварительно шлифованной поверхностью. Было показано, что такие контакты в отличие от контактов кремний-металл с полированной поверхностью полупроводника являются омическими.…”

“…Заключение Т.о. из проведенного выше анализа, а также с учетом результатов работ [4][5][6][7] можно сделать следующие выводы. …”

http://journal-spqeo.org.ua

“…Gol'dberg et al proposed another mechanism, which implies current flow through metal shunts matched with dislocations (see, e.g., [10]). In [21,22,83], this mechanism was supplemented by considering the supply of the current flowing in the nearcontact semiconductor region adjacent to the shunt ends. It was shown that, due to very small diameters of metal shunts, a very high electric field arises at their ends, due to which mirror-image forces change the sign of band bending at the semiconductor-shunt-end interface from depleting to enriching.…”