The optimum fin width in p-MuGFETs with the consideration of NBTI and hot carrier degradation

Kim, Dong Wook; Park, Woo Sang; Park, Jong-Tae

doi:10.1016/j.microrel.2010.07.088

Cited by 4 publications

(1 citation statement)

References 15 publications

Supporting

Mentioning

Contrasting

Unclassified

Order By: Relevance

“…Однако консенсус относительно оптимального значения W fin так и не был достигнут. Действительно, в некоторых работах, посвященных этой проблеме, утверждается, что ДВГН становится сильнее в транзисторах с более широким каналом [9][10][11], в то время как другие группы показывают обратную тенденцию [7,12,13]. Попытки моделирования влияния ширины наноразмерного канала транзистора были основаны на использовании темпа ударной ионизации в качестве количественного критерия ДВГН [9,14].…”

Section: Introductionunclassified

О Влиянии Параметров Топологии Транзистора С Каналом В Форме Плавника На Деградацию, Вызываемую Горячими Носителями

Тягинов

Makarov

Kaczer

et al. 2018

Журнал Технической Физики

View full text Add to dashboard Cite

Проведено теоретическое исследование влияния параметров геометрии транзистора с каналом в форме плавника (FinFET) на интенсивность деградации, вызываемой горячими носителями (ДВГН). Для этого использована модель, в рамках которой рассматриваются три подзадачи, составляющие физическую картину ДВГН: транспорт носителей заряда в полупроводниковых структурах, описание микроскопических механизмов формирования дефектов и моделирование характеристик деградировавших приборов. В процессе анализа варьируются длина затвора, а также ширина и высота канала. Показано, что при фиксированных условиях стрессового воздействия интенсивность ДВГН повышается в транзисторах с более коротким или более широким каналом, а высота канала не оказывает существенного влияния на протекание ДВГН. Данная информация может оказаться полезной для оптимизации архитектуры транзисторов обсуждаемой топологии с целью подавления деградационных эффектов.

show abstract

Section: Introductionunclassified

О Влиянии Параметров Топологии Транзистора С Каналом В Форме Плавника На Деградацию, Вызываемую Горячими Носителями

Тягинов

Makarov

Kaczer

et al. 2018

Журнал Технической Физики

View full text Add to dashboard Cite

show abstract

Hexabromocyclododecane diastereoisomers in surface sediments from river drainage basins of Shanghai, China: occurrence, distribution, and mass inventory

Tang

Shao

Zhu

et al. 2015

Environ Sci Pollut Res

View full text Add to dashboard Cite

Concentrations of hexabromocyclododecanes (HBCDs) were determined in surface sediments of Shanghai, China. The concentrations of total HBCD diastereoisomers (ΣHBCD) ranged from 0.01 to 13.70 ng g(-1) dry weight (dw) with a mean value of 3.41 ng g(-1) dw, which was up to several orders of magnitude lower than those reported for sediments from European countries. The ΣHBCD concentrations in sediments from chemical/textile industrial or densely populated areas were generally higher than those from rural or less chemical/textile industrialized areas in Shanghai. A high proportion of α-HBCD was observed in sediment samples and was significantly higher than that of commercial HBCD products. This might be due to thermal isomerization from γ-HBCD to α-HBCD and slower degradation rate of α-HBCD compared to γ-HBCD in anaerobic conditions. The mass inventory of ΣHBCD in surface sediments of Shanghai was estimated at 164.4 kg, representing a significant source of HBCDs to the Shanghai environment. This indicates that further study on potential transfer of HBCDs from sediments to aquatic organisms and ecological risk assessments is required.

show abstract

Hot-carrier degradation in FinFETs: Modeling, peculiarities, and impact of device topology

Makarov

Tyaginov

Kaczer

et al. 2017

2017 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM)

View full text Add to dashboard Cite

The optimum fin width in p-MuGFETs with the consideration of NBTI and hot carrier degradation

Cited by 4 publications

References 15 publications

О Влиянии Параметров Топологии Транзистора С Каналом В Форме Плавника На Деградацию, Вызываемую Горячими Носителями

О Влиянии Параметров Топологии Транзистора С Каналом В Форме Плавника На Деградацию, Вызываемую Горячими Носителями

Hexabromocyclododecane diastereoisomers in surface sediments from river drainage basins of Shanghai, China: occurrence, distribution, and mass inventory

Hot-carrier degradation in FinFETs: Modeling, peculiarities, and impact of device topology

Contact Info

Product

Resources

About