1982
DOI: 10.1002/pssb.2221130207
|View full text |Cite
|
Sign up to set email alerts
|

The Semiconductor—Metal Transition in Liquid Tellurium

Help me understand this report

Search citation statements

Order By: Relevance

Paper Sections

Select...
3
2

Citation Types

0
2
0

Year Published

2002
2002
2021
2021

Publication Types

Select...
7

Relationship

0
7

Authors

Journals

citations
Cited by 11 publications
(5 citation statements)
references
References 6 publications
0
2
0
Order By: Relevance
“…According to the σ (T ) and S(T ) results, the increase of the metallic fraction on temperature increase can be considered as a semiconductor-metal transition. Considering results for pure tellurium [10], it is suggested that a liquid with a chain-like structure forms during melting, and current carriers occur at the chain ends. This leads in turn to an increase of the content of current carriers and the conductivity.…”
Section: Resultsmentioning
confidence: 99%
See 1 more Smart Citation
“…According to the σ (T ) and S(T ) results, the increase of the metallic fraction on temperature increase can be considered as a semiconductor-metal transition. Considering results for pure tellurium [10], it is suggested that a liquid with a chain-like structure forms during melting, and current carriers occur at the chain ends. This leads in turn to an increase of the content of current carriers and the conductivity.…”
Section: Resultsmentioning
confidence: 99%
“…An influence of admixtures makes itself evident in the mechanism of the cluster thermal decay. It was shown in [10] that such admixtures can lead to cluster structural defects and cluster decay either by the customary dissolution or by fragmentation. The dissolution and fragmentation mechanisms can dominate alternately while a liquid remains inhomogeneous.…”
Section: Resultsmentioning
confidence: 99%
“…4-5. Для кращого розумiння отриманих результатiв вони наведенi в порiвняннi з результатами, отриманими ранiше для чистого Te [10]. Експериментальнi температурнi залежностi електропровiдности добре узгоджуються з результатами [11,12], якi одержанi в дiлянцi температур вiд температури плавлення T m до 1200 К. Систематичних дослiджень електропровiдности при вищих температурах, а також даних з термо-е.р.с.…”
Section: експериментальнI результатиunclassified
“…Така процедура можлива тому, що для ньютонiвських рiдин досить точно витримується експоненцiяльна залежнiсть в'язкости вiд температури. Значення η n можна знайти з температурних залежностей густини ρ(T ) [10] i в'язкости η(T ). Якщо проекстраполювати лiнiйну дiлянку залежности ρ(T ) на величину густини 6.05 g/cm 3 (густина перед початком плавлення), то отримаємо температуру, при якiй моноатомна складова зникне й рiдина стане повнiстю асоцiйованою, тобто утвориться комплекс (Te) n .…”
Section: експериментальнI результатиunclassified
See 1 more Smart Citation