The structural evolution of Cu(In,Ga)Se 2 thin film and device performance prepared through a three-stage process

Caracterização de células solares de filmes finos de CIGS

“…Ocorre que uma banda proibida pequena limita o valor de Voc [19]. Por esta razão, os valores de Voc obtidos neste trabalho estão bem menores do que os reportados na literatura [7,[10][11][12]. Baixos valores de Voc também são típicos de células que não foram submetidas ao tratamento pós-deposição na presença de metais alcalinos [8], como as fabricadas neste trabalho.…”

“…Os filmes de CIGS podem ser crescidos por várias técnicas de deposição [10][11][12][13][14][15]. A técnica utilizada em células de alta eficiência é a co-evaporação em três estágios [10][11][12].…”

“…A técnica utilizada em células de alta eficiência é a co-evaporação em três estágios [10][11][12]. Nesta técnica, a fase (In,Ga) 2 Se 3 é formada em um primeiro estágio a partir de In, Ga e um fluxo de selênio.…”

“…No terceiro estágio, a composição estequiométrica Cu(In,Ga)Se 2 é alcançada. O controle da temperatura é fundamental em cada estágio para promover a mudança de fase e a cristalização [12]. A deposição da camada absorvedora CIGS quase sempre envolverá, no mínimo, dois estágios: deposição dos metais e selenização [13].…”

“…Este composto, de banda proibida maior que a do CIGS, é formado, em geral, durante o crescimento da camada CIGS em altas temperaturas, tal como mostraram Wada e colaboradores [16] em filmes crescidos pela co-evaporação em três estágios. A espessura da camada de CdS também foi minimizada para 50-80 nm, de forma a aumentar a resposta espectral do dispositivo na região de baixos comprimentos de onda, e o contato frontal evoluiu de uma única camada de TCO, por exemplo, ZnO:Al, para uma bicamada formada por ZnO:Al/ZnO [11][12]. Recentemente, a Solar Frontier apresentou resultados de seus minimódulos de CIGS, com 18% de eficiência, onde a camada de CdS foi substituída por uma camada de (Zn, Mg)O [17].…”