The structure, diffusion and phase formation in Mo/Si multilayers with stressed Mo layers

Zubarev, E. N.; Zhurba, A.V.; Кондратенко, В. В.; Pinegyn, V.I.; Sevryukova, V.A.; Yulin, Sergiy; Feigl, Torsten; Kaiser, Norbert

doi:10.1016/j.tsf.2007.01.012

Cited by 18 publications

(8 citation statements)

References 20 publications

Supporting

Mentioning

Contrasting

Unclassified

Order By: Relevance

“…Then, assuming the balance condition, the values of stress in metallic coatings can be extracted from the general amount of stress in the multilayer to evaluate stresses in amorphous Si layers and ITZs. In article [13] we supposed some mechanisms of stress formation in molybdenum layers depending on their thickness and deposition condition. The goal of this work is the detailed research of stress and the lattice parameter of Mo layers in unstressed sections depending on the molybdenum layer thickness, especially in thin molybdenum layers where molybdenum undergoes a phase transition from the amorphous state in the crystalline one.…”

Section: Introductionmentioning

confidence: 99%

Structure and stressed state of molybdenum layers in Mo/Si multilayers

Pinegyn¹,

Zubarev²,

Кондратенко³

et al. 2008

Thin Solid Films

Self Cite

View full text Add to dashboard Cite

Section: Introductionmentioning

confidence: 99%

Structure and stressed state of molybdenum layers in Mo/Si multilayers

Pinegyn¹,

Zubarev²,

Кондратенко³

et al. 2008

Thin Solid Films

Self Cite

View full text Add to dashboard Cite

“…The AIZs are created at the initial time when molybdenum is deposited on the silicon layer and vice versa. It is known [26,27] that the appearance of molybdenum disilicide with thickness of t MoSi2 is accompanied by a consumption of Mo-layer t Mo = 0.39× t MoSi2 thick and Si-layer of t Si =0.99×t MoSi2 . The thickness of silicide layer at Mo-on-Si interface as a rule comes to t Mo-on-Si ≈ 1.2 nm and it is independent on crystal perfection of Mo-layer [24,26].…”

Section: Resultsmentioning

confidence: 99%

“…4). Two types of grains can be distinguished in the crystal phase: almost equiaxial ones with average size of 4 nm and highly inequiaxial ones with dimensions of (3-4) × (15)(16)(17)(18)(19)(20)(21)(22)(23)(24)(25)(26)(27)(28)(29)(30) (Fig. 4b).…”

Section: Resultsmentioning

confidence: 99%

Growth and crystallization of molybdenum layers on amorphous silicon

et al. 2011

Self Cite

View full text Add to dashboard Cite

This article appeared in a journal published by Elsevier. The attached copy is furnished to the author for internal non-commercial research and education use, including for instruction at the authors institution and sharing with colleagues. Other uses, including reproduction and distribution, or selling or licensing copies, or posting to personal, institutional or third party websites are prohibited. In most cases authors are permitted to post their version of the article (e.g. in Word or Tex form) to their personal website or institutional repository. Authors requiring further information regarding Elsevier's archiving and manuscript policies are encouraged to visit: http://www.elsevier.com/copyright

show abstract

“…Следует отметить несколько особенностей роста силицидной фазы при ионно-лучевом перемешивании, которые существенно отличаются от роста силицидной фазы при обычном термическом отжиге [32][33][34][35].…”

Section: рис 5 зависимость периода многослойного периодического покunclassified

“…Поэтому можно сказать, что при облучении многослойной структуры Mo/Si образуется сплав, расположенный между эвтектической точкой и дисилицидом молибдена. При изотермическом отжиге многослойных периодических покрытий образуется дисилицид молибдена[32][33][34][35].При облучении многослойного периодического покрытия Mo/Si наблюдается уменьшение интенсивности дифракционного отражения (110) Mo и сдвиг его в сторону больших углов на величину Δ(2Θ) = 0,06° (рис. 7).…”

unclassified

Ion-Beam Mixing in Layered Systems

Zubarev

2010

Usp. Fiz. Met.

View full text Add to dashboard Cite

При малых дозах облучения (ионами He + до Φ ≤ 5⋅10 20 ион/м 2 и ионами Ar + до Φ ≤ 1,3⋅10 18 ион/м 2) толщина силицидных фаз на межфазных границах раздела Mo-на-Si и Si-на-Mo увеличивается одинаково и линейно с дозой облучения. Средний атомный состав аморфных перемешанных зон соответствует сплаву состава MoSi 8,2 и MoSi 3,9 при облучении ионами He + и Ar + соответственно. При увеличении дозы облучения наблюдается уменьшение плотности аморфных перемешанных зон. На температурной зависимости ионно-лучевого перемешивания многослойных структур Mo/Si, облученных ионами He + , наблюдаются два участка: 1-слабой зависимости (T обл ≤ 260°C), 2-сильной зависимости (T обл > 260°C) от температуры облучения. Энергии активации ионно-лучевого перемешивания для указанных участков составляют Q 1 ≈ 0,02 эВ и Q 2 ≈ 0,5 эВ соответственно. Особенности ионно-лучевого перемешивания объясняются на основе перемешивания в субкаскадах столкновений. При малих дозах опромінення (йонами He + до Φ ≤ 5⋅10 20 йон/м 2 та йонами Ar + до Φ ≤ 1,3⋅10 18 йон/м 2) товщина силіцидних фаз на міжфазних межах поділу Mo-на-Si і Si-на-Mo збільшується однаково і лінійно з дозою опромінення. Середній атомовий склад аморфних перемішаних зон відповідає стопу MoSi 8,2 і MoSi 3,9 при опроміненні йонами He + і Ar + відповідно. При збільшенні дози опромінення спостерігається зменшення густини аморфних перемішаних зон. На температурній залежності йонно-променевого перемішування багатошарових структур Mo/Si, опромінених йонами He + , спостерігаються дві ділянки: 1-слабкої залежности (T опр ≤ 260°C), 2сильної залежности (T опр > 260°C) від температури опромінення. Енергія активації йонно-променевого перемішування на зазначених ділянках складає Q 1 ≈ 0,02 еВ і Q 2 ≈ 0,5 еВ відповідно. Особливості йонно-променевого перемішування пояснюються на основі перемішування у каскадах зіткнень. Thickness of silicide phases at Moon -Si and Si-on-Мо interfaces increases identically and linearly with a dose of irradiation at the small doses (by He +

show abstract

The structure, diffusion and phase formation in Mo/Si multilayers with stressed Mo layers

Cited by 18 publications

References 20 publications

Structure and stressed state of molybdenum layers in Mo/Si multilayers

Structure and stressed state of molybdenum layers in Mo/Si multilayers

Growth and crystallization of molybdenum layers on amorphous silicon

Ion-Beam Mixing in Layered Systems

Contact Info

Product

Resources

About