1988
DOI: 10.1002/pssa.2211080103
|View full text |Cite
|
Sign up to set email alerts
|

The thickness dependence of the X-ray diffuse scattering intensity for crystals with microdefects at laue-case diffraction

Abstract: The theory of the dynamical X-ray diffuse scattering (DS) in single crystals with homogeneously distributed microdefects (point defect clusters, inclusions, new phase nuclei, dislocation loops, etc.) is developed. The thickness dependence of the DS intensity distribution in reciprocal lattice space is investigated by constructing both, iso-intensity contours and plane projections of threedimensional images. Possibilities to obtain a detailed information concerning various-kind microdefects characteristics by u… Show more

Help me understand this report

Search citation statements

Order By: Relevance

Paper Sections

Select...
2
1
1
1

Citation Types

0
9
0
21

Year Published

1990
1990
2008
2008

Publication Types

Select...
7

Relationship

1
6

Authors

Journals

citations
Cited by 39 publications
(30 citation statements)
references
References 6 publications
0
9
0
21
Order By: Relevance
“…In the case of a thick crystal the approximation of the R; value depends on the both integral parameters of structure perfection. The simple expression for the R; was obtained in [12] for the case of pt > 6 Therefore, varying the absorption level of the sample by choosing the wavelength of X-ray spectrum one can provide the needed level of absorption. In one case the sample may be considered as a thin one and then, formula (3) can be applied.…”
Section: Theoretical Background Of the Methodsmentioning
confidence: 99%
“…In the case of a thick crystal the approximation of the R; value depends on the both integral parameters of structure perfection. The simple expression for the R; was obtained in [12] for the case of pt > 6 Therefore, varying the absorption level of the sample by choosing the wavelength of X-ray spectrum one can provide the needed level of absorption. In one case the sample may be considered as a thin one and then, formula (3) can be applied.…”
Section: Theoretical Background Of the Methodsmentioning
confidence: 99%
“…Их теоретической основой является стати-стическая теория брэгговского и диффузного рассеяний излучений в кристаллах с дефектами: кинематическая (третье) и динамиче-ская (четвертое). Мировой приоритет в создании этих теорий, а также в проведении на их основе классификации дефектов в кри-сталлах по их влиянию на картину рассеяния принадлежит ИМФ НАН Украины (соответственно М. А. Кривоглазу [14] и В. Б. Мо-лодкину [15][16][17][18][19][20][21][22][23]). В настоящей работе проведен детальный сравни-тельный анализ чувствительности к дефектам и информативности диагностики на основе рассмотрений кинематической и динамиче-ской картин рассеяния.…”
Section: (получено 26 мая 2008 г)unclassified
“…При динамической дифракции, как впервые показано в работах [15][16][17][18][19][20][21][22][23], благодаря процессам многократности рассеяния и брэггов-ская, и диффузная составляющие интенсивности формируются су-щественно обеими частями потенциала. Это приводит к тому, что динамическое брэгговское рассеяние определяется не средним, как у Кривоглаза, а перенормированным за счёт перерассеяния на флуктуационной части эффективным периодическим потенциалом (комплексным и нелокальным), который подобен известному из электронной теории идеальных кристаллов когерентному потен-циалу или оптическому из теории ядра.…”
Section: брэгговская составляющаяunclassified
See 2 more Smart Citations