Theoretical Analysis of the Einstein Relation in n‐Channel Inversion Layers on A₃^IIB₂^V Semiconductors under Magnetic Quantization

Abstract

A b s t r a c t . We have invcstigated the Einstein rrletion in n-channel inversion lityeison A,i'U,V semiconductors tit low temperatures on the basis of D newly derived dispersion reltrtion of the ciirrieis undcr orbitiary magnetic quantization for the general case which occurs from the consideration o f the auiimtropies of the b m d parameters within the frame work of k ' p formalism. I t is found by inco1por;tting both the vffects of electron spin and broibdening of L;tnclau Irvels, using n-Cd,As, :is itti tbxample, th;it the theoretical formulation is in qunlitirtive ugrerment with the suggested exprriment;rl method of dctrrmining the Einstein rrl.rtion in degenerate semiconductors having m-bi-triLry dispersion law. In addition, the corresponding well-known results for bulk specimens of two b i d Kane model both in the presence and ibbsence of miignetic quimtiztition, x e also obt.rinctl from the generalized expressions as special cibscs. Theoretische Analyse der Einstein-Relation in n-Katisliiivcrviorissehichteri eiiies A3 U2 -Halbleitcrs bei magnetischer Quaatisieniiig vI n h a l t s i i bersicht. Wir haben die Einstein-Rclation in ~~-~<ana~inversionscIiichteli in A:'B2'-Hnlbleikrn bei niedrigen TemperiLturen auf der Birsis einer neu nbgeleiteten Dispersionsreletion der LadungstrSger unter willkiirlicher milgnetischer Quentisierung im idlgemeinen Fall, der im Rahmen clcs kp-Formnlismus bei Anisotropie der Bendparameter auftritt, untersucht. Beriicksichtigt inan sowohl die von den Elektronenspins hervorgerufenen Effekte als auch die Verbreikrung der Landau-Niveaus, so ergibt sich fur das Beispiel n-Cd,As, eine qualitative Ubereinstimmung der theoretischen Voraussage mit experimentellen Ergebnissen, gewonnen nach der vorgeschlagenen Methode zur Bestimmung der Einstein-Relation in degenericrten Helbleitern mit beliebiger Dispersionsrelation. Von den allgemeinen Ausdriicken liil3t sich ids Spezialfall das bekannte Ergebnis des 2-Bond-Kane-Xodells des Volumenfalls bei Gegenivart oder Abwesenheit magnetischer Quantisieruug ablesen.

Thermoelectric Power in Quantum Dots Under Large Magnetic Field

“…In this context, it may be noted that with the advent of fine line lithography [39], molecular beam epitaxy [40,41], organometallic vapor-phase epitaxy [42], and other experimental techniques, low-dimensional structures [43][44][45][46][47][48][49][50][51][52][53][54][55] having quantum confinement of the charge carriers in one, two, and three dimensions [such as ultrathin films (UFs), nipi structures, inversion and accumulation layers, quantum well superlattices, carbon nanotubes, quantum wires (QWs), quantum wire superlattices, quantum dots (QDs), magnetoinversion and accumulation layers, quantum dot superlattices, etc.] 1.2.1 to 1.2.18, respectively.…”