An anisotype heterostructure of PbTe/Si is realised by growing n-type PbTe film on a p-type silicon substrate by hot wall epitaxy technique. I-U and C-U characteristics of this structure are studied. The effective built-in potential, V& across the junction, determined by the I-U measurements (540 mV) fairly agrees with the value obtained by C-U measurements (500 mV). However this value is somewhat larger than the theoretical value for an ideal heterojunction (390 mV). This discrepancy is attributed to interface effects due to lattice mismatch a t the junction. Assuming V & = 540 mV, an energy band diagram for this structure is constructed based on the experimental results. The band discontinuities AE, and AE, are found to be 240 and 530 meV, respectively. Mit der ,,hot-wall"-Epitaxie wird eine anisotype PbTe/Si-Heterostruktur durch eine n-leitende PbTe-Schicht auf einem p-leitendem Siliziumsubstrat realisiert. I-Uund C-U-Charakteristiken dieser Strukturen werden untersucht. Die effektive Diffusionsspannung 7; uber dem pn-ubergang, die aus I-U-Messungen (540 mV) bestimmt wird, stimmt mit dem Wert aus C-U-Messungen (500 mV) uberein. Jedoch ist dieser Wert etwas groBer als der theoretische Wert fur einen idealen Heteroubergang (390 mV). Diese Diskrepanz wird Grenzfliicheneinflussen infolge von Gitterfehlanpassung am ubergang zugeschrieben. Unter der Annahme von V d = 540 mV wird ein Energiebanderdiagramm fur diese Struktur konstruiert, das auf den experimentellen Ergebnissen beruht. Die Biinderdiskontinuititen AEc und AEv werden zu 240 bzw. 530 meV bestimmt.