Thermoelectric power factor performance of silicon-germanium alloy doped with phosphorus prepared by spark plasma assisted transient liquid phase sintering

Murugasami, R.; Vivekanandhan, P.; Kumaran, S.; Kumar, Ritesh; Tharakan, T. John

doi:10.1016/j.scriptamat.2017.08.048

Cited by 24 publications

(12 citation statements)

References 18 publications

Supporting

Mentioning

Contrasting

Unclassified

Order By: Relevance

“…За температуру измерений при этом бралось среднее значение между температурами " горячего" и " холодного" концов. Измерения проводились в вакууме с давлением остаточных паров около 10 −3 Торр для уменьшения отвода тепла от нагретых областей образца окружающей средой [5].…”

Section: методы исследованияunclassified

“…Кроме того, существует высокий уровень понимания электронных свойств в объеме Si 1−x Ge x . Разработка и исследование термоэлектрических материалов на основе Si 1−x Ge x является предметом исследования ряда научных коллективов в России и за рубежом [4][5][6][7].…”

Section: Introductionunclassified

“…В соответствии с изложенными выше принципами наноструктурирования наиболее перспективным методом получения нанополикристаллов является электроимпульсное плазменное спекание (ЭИПС) порошковых материалов, позволяющее эффективно управлять параметрами поликристаллической наноструктуры [4][5][6]. Однако, несмотря на значительное развитие этого метода, остаeтся неразрешeнным ряд вопросов, связанных с легированием материалов, что особенно актуально в области получения термоэлектриков, для которых сильное легирование является одним из главных условий получения высокого значения параметра ZT [1] стандартным" для синтеза термоэлектрических материалов.…”

Section: Introductionunclassified

See 2 more Smart Citations

Легирование термоэлектрических материалов на основе твeрдых растворов SiGe в процессе их синтеза методом электроимпульсного плазменного спекания

Дорохин¹,

Demina²,

Erofeeva³

et al. 2019

Физика И Техника Полупроводников

View full text Add to dashboard Cite

The results of investigation of thermoelectric materials fabricated by spark plasma sintering and based on Si_1 –_ x Ge_ x solid solutions doped with Sb to a concentration of 0–5 at % are presented. It was found that, at Sb concentration below 1 at %, efficient doping of the solid solution was carried out during the sintering process, which allowed us to form a thermoelectric material with a relatively high thermoelectric figure of merit. An increase in the concentration of antimony in the range of 1–5 at % led to a change in the mechanism of doping, which resulted in an increase in the resistance of materials and the segregation of Sb into large clusters. For such materials, a significant decrease in the Seebeck coefficient and thermoelectric figure of merit was noted. The highest obtained thermoelectric figure of merit (ZT) with Sb doping was 0.32 at 350°C, which is comparable with known analogues for the Ge_ x Si_1 –_ x solid solution.

show abstract

Section: методы исследованияunclassified

Section: Introductionunclassified

See 1 more Smart Citation

Легирование термоэлектрических материалов на основе твeрдых растворов SiGe в процессе их синтеза методом электроимпульсного плазменного спекания

Дорохин¹,

Demina²,

Erofeeva³

et al. 2019

Физика И Техника Полупроводников

View full text Add to dashboard Cite

show abstract

“…Hijazi and Kazan [5] presented a predictive Boltzmann model for the cross-plane thermal conductivity in superlattices. Si-Ge superlattices doped by SiGe and Ge nanodots were also studied theoretically, and the results manifested the contributions of nanodots to limiting the thermal conductivities [11][12][13][14].…”

Section: Introductionmentioning

confidence: 99%

Thermal Transport in Silicon-Germanium Superlattices at Low Temperatures

Wang

Cai

Tiezhu

2019

Journal of Nanomaterials

View full text Add to dashboard Cite

Interfacial thermal resistances between heterogeneous materials are still a challengeable subject since the mechanism to explain it quantitatively is not clear in spite of its importance. We propose a Monte Carlo (MC) model to study phonon interfacial elastic and inelastic scattering behaviors for superlattices composed of Si and Ge materials, which substantially reduces the amount of computations. In particular, below Debye temperatures, the molecular dynamics (MD) solution is not precise enough for semiconductors because of quantization errors. In this work, thermal conductivities and thermal rectifications of Si/Ge and Ge/Si superlattices with different periods are investigated separately at temperatures below 200 K.

show abstract

“…В настоящей работе исследованы материалы на основе Si и Ge, полученные методом электроимпульсного плазменного спекания (ЭИПС) порошков [4]. Ранее в серии работ [5][6][7][8][9] было продемонстрировано, что формирование поликристаллических твердых растворов Si 1−x Ge x методом ЭИПС позволяет получать термоэлектрические преобразователи энергии с рекордными значениями термоэлектрической добротности. Указанный метод предоставляет широкие возможности для контроля параметров поликристаллической структуры и позволяет эффективно управлять всеми основными характеристиками термоэлектриков.…”

Section: Introductionunclassified

Получение электроимпульсным плазменным спеканием термоэлектрических материалов на основе Si и Ge

Erofeeva¹,

Дорохин²,

Здоровейщев³

et al. 2018

Физика И Техника Полупроводников

View full text Add to dashboard Cite

Исследованы термоэлектрические материалы на основе SiGe, полученного электроимпульсным плазменным спеканием. Проведено варьирование степени легирования исходных материалов, степени перемешивания Si и Ge, а также свойств зеренной структуры сформированных образцов. Установлено, что использование исходных материалов, легированных донорными или акцепторными примесями позволяет управлять концентрацией носителей заряда в спеченных образцах. Показано, что концентрация носителей оказывает наиболее существенное влияние на энергетические характеристики термоэлектриков (фактор мощности). Для структур с наибольшей концентрацией носителей управление термоэлектрическими коэффициентами достигается путем варьирования степени перемешивания Ge и Si, а также однородности распределения примесей.

show abstract

Thermoelectric power factor performance of silicon-germanium alloy doped with phosphorus prepared by spark plasma assisted transient liquid phase sintering

Cited by 24 publications

References 18 publications

Легирование термоэлектрических материалов на основе твeрдых растворов SiGe в процессе их синтеза методом электроимпульсного плазменного спекания

Легирование термоэлектрических материалов на основе твeрдых растворов SiGe в процессе их синтеза методом электроимпульсного плазменного спекания

Thermal Transport in Silicon-Germanium Superlattices at Low Temperatures

Получение электроимпульсным плазменным спеканием термоэлектрических материалов на основе Si и Ge

Contact Info

Product

Resources

About