Time dependent simulations of the growth of III–V crystals by the liquid phase electroepitaxy

Żytkiewicz, Z. R.; Strąk, Paweł; Krukowski, S.

doi:10.1016/j.jcrysgro.2010.10.097

Cited by 4 publications

(2 citation statements)

References 16 publications

Supporting

Mentioning

Contrasting

Unclassified

Order By: Relevance

“…Для вивчення процесів теплопереносу в розчині-розплаві, підкладці та нагрівачі підкладки було розв'язано типове рівняння Фур'є -Кірхгофа з граничними умовами I роду на верхній і нижній границях. У розрахунку теплопереносу вважалося, що джоулів нагрів та ефект Пельтьє [8,9] роблять незначний вклад у зміну товщини епітаксійного шару, тому вони не були враховані:…”

Section: теоріяunclassified

See 1 more Smart Citation

The Features of Scanning Liquid Phase Epitaxy Technique as Applied to Thick Epitaxial Layers Growth

Tsybulenko¹,

Shutov²,

Boskin³

2020

KPI SN

View full text Add to dashboard Cite

як тонких, так і товстих епітаксійних шарів є невід'ємною частиною технології напівпровідникових приладів. До відомих технологічних методів належать методи рідиннофазової епітаксії, серед якихімпульсні методи, розроблені спеціально для отримання саме тонких епітаксійних шарів. Пристосування або модернізація останніх для отримання ще й товстих епітаксійних шарів є актуальною задачею. Мета дослідження. Робота присвячена розширенню можливостей методу скануючої рідиннофазової епітаксії, який теж можна віднести до імпульсних методів вирощування з рідинної фази, а саме можливості вирощування товстих епітаксійних шарів. Методика реалізації. Розглянуто вплив додаткового підігріву підкладки в методі скануючої рідиннофазової епітаксії на ріст епітаксійних шарів. Для цього проведено моделювання процесів тепло-та масопереносу в установці скануючої рідиннофазової епітаксії в умовах додаткового підігріву підкладки. Для експериментального підтвердження працездатності запропонованої моделі було проведено вирощування епітаксійного шару Ge на підкладці GaAs у зазначених умовах. Результати дослідження. Моделювання показало, що якщо підкладка контактує з розчином-розплавом більше 1 с в умовах додаткового підігріву підкладки в методі скануючої рідиннофазової епітаксії, то на графіку залежності товщини вирощеного епітаксійного шару від часу вирощування з'являється ділянка розчинення епітаксійного шару. При цьому температура на фронті кристалізації менша за початкову температуру розчинурозплаву. Показано, що це пов'язано з величиною початкового охолодження/нагріву нагрівача підкладки. Також моделювання показало, що завдяки додатковому підігріву підкладки ріст епітаксійного шару відбувається мовби в градієнті температури. Причому вже за лічені секунди відбувається ріст у сталому в часі градієнті температури. З використанням додаткового підігріву підкладки отримано епітаксійний шар Ge на підкладці GaAs з GaGe -розчину-розплаву. Час вирощування становив 60 с. Методом шар-шліфу визначено товщину шару, яка становила 12,6 мкм. Висновки. Показано, шо за допомогою додаткового підігріву підкладки з її тильної сторони, за умови, що підкладка буде мати температуру нижче температури розчину-розплаву, створюються умови для вирощування товстих епітаксійних шарів у методі скануючої рідиннофазової епітаксії. При цьому ріст товстих епітаксійних шарів відбувається в умовах градієнта температури на фронті кристалізації. Ключові слова: скануюча рідиннофазова епітаксія; сила Ампера; ріст у градієнті температури.

show abstract

Section: теоріяunclassified

“…Розрахунок масопереносу виконано за [10]. При цьому електроперенос [8], який виникає в розчині-розплаві, не враховувався через малу рухливість Ge у Ga [11] і малий час етапів змочування й очищення.…”

Section: теоріяunclassified

The Features of Scanning Liquid Phase Epitaxy Technique as Applied to Thick Epitaxial Layers Growth

Tsybulenko¹,

Shutov²,

Boskin³

2020

KPI SN

View full text Add to dashboard Cite

show abstract

Epitaxial Crystal Growth: Methods and Materials

2017

View full text Add to dashboard Cite

Epitaxial growth of thin films of material for a wide range of applications in electronics, optoelectronics, and magneto-optics is a critical activity in many industries. The original technique, in most instances, was liquid-phase epitaxy (LPE) as this was the simplest and often the cheapest route to producing device-quality layers. While some production processes are still based on LPE, most of the research activities and, increasingly, much of the production of electronic and optoelectronic devices is now centered on metal organic chemical vapor deposition (MOCVD) and molecular beam epitaxy (MBE). These latter techniques are more versatile, although the equipment is more expensive, and can readily produce multilayer structures with atomic-layer control, which is becoming more and more fundamental to the nanoscale engineering being called upon now to produce device structures in as-grown multilayers. This chapter covers these three basic techniques, including some of their more common variants, and outlines the relative advantages and disadvantages of each of them. Some examples of growth in various materials systems of importance are also outlined for each of the three techniques.

show abstract

Control of growth uniformity of III–V bulk crystals grown by contactless liquid phase electroepitaxy

Strąk¹,

Żytkiewicz²,

Krukowski³

2012

Journal of Crystal Growth

Self Cite

View full text Add to dashboard Cite

Time dependent simulations of the growth of III–V crystals by the liquid phase electroepitaxy

Cited by 4 publications

References 16 publications

The Features of Scanning Liquid Phase Epitaxy Technique as Applied to Thick Epitaxial Layers Growth

The Features of Scanning Liquid Phase Epitaxy Technique as Applied to Thick Epitaxial Layers Growth

Epitaxial Crystal Growth: Methods and Materials

Control of growth uniformity of III–V bulk crystals grown by contactless liquid phase electroepitaxy

Contact Info

Product

Resources

About