Total integrated intensity of Bragg-diffracted synchrotron radiation for crystals with defects

Baryakhtar, V. G.; Kovalchuk, M. V.; Litvinov, Yu. M.; Molodkin, V. B.; Nemoshkalenko, V. V.; Olikhovskii, S. I.; Kislovskii, E. N.; Nizkova, A.I.

doi:10.1016/0168-9002(91)90650-f

Cited by 8 publications

(7 citation statements)

References 0 publications

Supporting

Mentioning

Contrasting

Unclassified

Order By: Relevance

“…Параметр ширины пика на полувысоте -полуширина (FWHM) и интегральная интенсивность (сумма по углу упругой когерентной дифракционной составляющей и неупругого диффузного рассеяния на дефектах) -является одной из основных характеристик степени совершенства кристалла, угол Брэгга связан с параметром решетки. По вариации данных параметров можно судить об изменениях реальной структуры кристалла [32][33][34].…”

Section: методика рентгенодифракционных измерений с временным разрешеunclassified

Быстрые Приповерхностные Изменения Дефектной Структуры В Кристаллах Тетрабората Лития Во Внешнем Электрическом Поле

Куликов¹,

Благов²,

Марченков³

et al. 2020

Физика Твердого Тела

View full text Add to dashboard Cite

The results of study of the defect structure variation process in the near-surface layers of lithium tetraborate (Li2B4O7) single crystals under the influence of an external electric field applied along the [001] polar direction are presented. Using the X-ray diffractometry with 2 ms time resolution the dynamics of the 004 and 008 diffraction peak parameters (angular position and integral intensity) variation was determined. Two types of processes caused by redistribution of the charge localized at the surface of the polar dielectric and the migration of lithium ions were revealed with different velocity and response time to the external field switching. The measurements were carried out at voltages providing a reversible character of induced effects. The use of two orders of diffraction with different X-ray extinction length made it possible to visualize space charge layers near the anode and cathode by the intensity variation of the diffraction peaks. Estimation of the effective thickness of the charged surface layer gives a value of 25 μm for lithium ions at the cathode and about 45 μm for lithium vacancies at the anode.

show abstract

Section: методика рентгенодифракционных измерений с временным разрешеunclassified

Быстрые Приповерхностные Изменения Дефектной Структуры В Кристаллах Тетрабората Лития Во Внешнем Электрическом Поле

Куликов¹,

Благов²,

Марченков³

et al. 2020

Физика Твердого Тела

View full text Add to dashboard Cite

show abstract

“…В случае произвольной (асимметричной) геометрии дифракции по Брэггу выражение для ПИОС, объединяющее предельные случаи тонкого (μ 0 l << 1) и толстого (μ 0 l >> 1) кристаллов, имеет вид [28,60,[63][64][65]]:…”

Section: анализ результатов динамической теории полной интегральной иunclassified

Unique Informativity of the Diffuse Dynamical Combined Diffractometry of Materials and Products of Nanotechnologies

et al. 2008

View full text Add to dashboard Cite

В работе проведен детальный систематический анализ открытого явления уникальной информативности динамической картины рассеяния в кри-сталлах с дефектами, установлены его физическая природа и возможности практического использования. Природа этого явления состоит в том, что в каждом из рефлексов картины рассеяния при переходе от кинематического к динамическому случаю начинают принципиально отличаться между со-бой зависимости от условий динамической дифракции брэгговской и диф-фузной составляющих рассеяния, которые всегда остаются одинаковыми в кинематической теории. Это принципиальное различие обусловлено суще-ственно разными значениями фундаментальных величин факторов рассея-ния для брэгговской и диффузной составляющих и их разным характером, а именно, для брэгговской -это усредненный по конфигурациям дефектов потенциал рассеяния (периодический), а для диффузной -флуктуации от среднего потенциала (непериодическая часть). За счет этого различаются между собой и динамические факторы брэгговской и диффузной экстинк-ций, а также другие закономерности проявления эффектов многократности для брэгговского и диффузного рассеяний. Установлен аналитически ха-рактер указанных зависимостей, что обеспечило уникальную возможность управления вкладом диффузной составляющей при неизменных характе-

show abstract

“…To explain the peculiarities in behaviour of the full integral reflectivity versus the radiation dose in Fig. 1, let us use the generalized dynamic theory of the Bragg diffraction of X-rays in crystal comprising defects of several types [14][15][16][17][18][19][20][21][22].…”

Section: Theoretical Partmentioning

confidence: 99%

“…μ 0 is the linear coefficient of photoelectric absorption.For a case of homogeneous distribution of the defects with the radius R 0 and concentration c, the following expression holds[17][18][19]:…”

mentioning

confidence: 99%

Determination of dominant type of defects in Cz-Si single crystals after irradiation with high-energy electrons

Gimchinsky¹,

Oleinych-Lysyuk²

2006

Semicond. phys. quantum electron. optoelectron.

View full text Add to dashboard Cite

Theoretical and experimental studies of silicon crystals irradiated with highenergy electrons (Е = 18 MeV) were made using the method of full integral X-ray reflectivity. To explain peculiarities of full integral reflectivity behaviour versus radiation dose and the order of reflection, the relationships of generalized dynamic theory of the Bragg X-ray diffraction in crystal comprising several defect types were used. The presence of several types of dominant defects in crystals allows closer tracing the dynamics of full integral reflectivity change versus the order of reflection and radiation dose, as well as estimating the contribution of each defect type to the diffusion component of X-ray scattering.

show abstract

Total integrated intensity of Bragg-diffracted synchrotron radiation for crystals with defects

Cited by 8 publications

References 0 publications

Быстрые Приповерхностные Изменения Дефектной Структуры В Кристаллах Тетрабората Лития Во Внешнем Электрическом Поле

Быстрые Приповерхностные Изменения Дефектной Структуры В Кристаллах Тетрабората Лития Во Внешнем Электрическом Поле

Unique Informativity of the Diffuse Dynamical Combined Diffractometry of Materials and Products of Nanotechnologies

Determination of dominant type of defects in Cz-Si single crystals after irradiation with high-energy electrons

Contact Info

Product

Resources

About