Transport properties of a quasi-two-dimensional electron gas in a SiGe/Si/SiGe quantum well including temperature and magnetic field effects

Quan, Nguyen Van

doi:10.1016/j.spmi.2013.09.036

Cited by 2 publications

(2 citation statements)

References 24 publications

Supporting

Mentioning

Contrasting

Order By: Relevance

“…Low-density α High-density α Dingle ratios RPA method and includes local-field corrections to the theoretical mobility calculations, exponent values of α ∼ 2.4 25,32,38 agreeing with experimental data are obtained. In the device with the deepest 2DEG, the power-law exponent α ∼ 3 obtained at lower density (gray curve) is significantly larger than what is observed for shallower devices and what is theoretically predicted.…”

Section: Deg Depthsupporting

confidence: 68%

“…Interface roughness scattering causes the mobility to decrease with increasing density 7,[30][31][32] and is thus extremely unlikely to be the dominant scattering mechanism in our devices, except near the highest achievable densities in the 100 nm deep device (green dotted line). Scattering from charge centers could arise from many sources in our devices: background impurities in the Si quantum well, background impurities in the SiGe barriers, trapped charges at the Si/SiGe (quantum well / spacer) interfaces, trapped charges at the cap/spacer interface, trapped charges at the amorphous SiO 2 /Si interface, charges trapped at the SiO 2 /Al 2 O 3 interface, or charges trapped at the gate/insulator interface.…”

mentioning

confidence: 99%

See 1 more Smart Citation

Scattering mechanisms in shallow undoped Si/SiGe quantum wells

et al. 2015

View full text Add to dashboard Cite

We report the magneto-transport study and scattering mechanism analysis of a series of increasingly shallow Si/SiGe quantum wells with depth ranging from ∼ 100 nm to ∼ 10 nm away from the heterostructure surface. The peak mobility increases with depth, suggesting that charge centers near the oxide/semiconductor interface are the dominant scattering source. The power-law exponent of the electron mobility versus density curve, μ ∝ nα, is extracted as a function of the depth of the Si quantum well. At intermediate densities, the power-law dependence is characterized by α ∼ 2.3. At the highest achievable densities in the quantum wells buried at intermediate depth, an exponent α ∼ 5 is observed. We propose and show by simulations that this increase in the mobility dependence on the density can be explained by a non-equilibrium model where trapped electrons smooth out the potential landscape seen by the two-dimensional electron gas.

show abstract

Section: Deg Depthsupporting

confidence: 68%

mentioning

confidence: 99%

Scattering mechanisms in shallow undoped Si/SiGe quantum wells

et al. 2015

View full text Add to dashboard Cite

show abstract

Tính chất vận chuyển của khí điện tử hai chiều trong giếng thế SiGe/Si/SiGe dưới ảnh hưởng của nhiệt độ và từ trường

Nguyễn¹,

Lý²,

Nguyễn³

et al. 2021

CTUJSVN

View full text Add to dashboard Cite

Nghiên cứu được thực hiện nhằm khảo sát độ linh động của khí điện tử hai chiều trong một giếng lượng tử SiGe/Si/SiGe tại nhiệt độ bất kỳ khi không có từ trường và khi bị phân cực bởi từ trường, xem xét tới hai cơ chế tán xạ: tán xạ tạp chất xa và tán xạ giao diện nhám có tính tới hiệu ứng tương quan–trao đổi và hiệu chỉnh trường cục bộ. Bên cạnh đó, sự phụ thuộc của mật độ tới hạn vào mật độ hạt tải, bề rộng giếng thế, khoảng cách lớp tạp chất, nhiệt độ và từ trường cũng được nghiên cứu. Tại nhiệt độ dưới 2 K, kết quả nghiên cứu này phù hợp với các kết quả đi trước. Các kết quả này có thể sử dụng để định hướng thực nghiệm trong việc nuôi cấy mẫu và kiểm soát nhiệt độ của hệ khi đo đạc mật độ tới hạn và thông tin về các cơ chế tán xạ trong giếng lượng tử SiGe/Si/SiGe.

show abstract

Transport properties of a quasi-two-dimensional electron gas in a SiGe/Si/SiGe quantum well including temperature and magnetic field effects

Cited by 2 publications

References 24 publications

Scattering mechanisms in shallow undoped Si/SiGe quantum wells

Scattering mechanisms in shallow undoped Si/SiGe quantum wells

Tính chất vận chuyển của khí điện tử hai chiều trong giếng thế SiGe/Si/SiGe dưới ảnh hưởng của nhiệt độ và từ trường

Contact Info

Product

Resources

About